[发明专利]电子束光刻方法及其装置无效
申请号: | 00103516.9 | 申请日: | 2000-03-24 |
公开(公告)号: | CN1271176A | 公开(公告)日: | 2000-10-25 |
发明(设计)人: | 中岛谦 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子束光刻 方法 及其 装置 | ||
1.一种用于利用电子束曝光和光刻所需图案的电子束光刻方法,其中包括如下步骤:
(a)在条纹连接边界区域中形成多个精度估计图案和一所需图案,以形成一个电子束掩膜;
(b)用电子束掩膜光刻图案;
(c)用精度估计图案测量曝光条纹的连接误差;
(d)用电子束曝光这些图案;以及
(e)检查已经被曝光的图案的连接。
2.根据权利要求1所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(a)中,形成方框标记作为精度估计图案。
3.根据权利要求1所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(a)中,形成成对的形方框标记和方形方框标记作为精度估计图案。
4.根据权利要求1所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(a)中,形成游标卡尺图案作为精度估计图案。
5.根据权利要求l所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(a)中,形成SCALPEL掩膜,该掩膜具有预定图案和精度估计图案。
6.根据权利要求l所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(b)中,包括该精度估计图案的区域与该电子束掩膜相重合。
7.根据权利要求1所述的电子束光刻方法,
其特征在于,步骤(d)是步骤(c)的反馈步骤。
8.根据权利要求2所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(a)中,形成一个SCALPEL掩膜,该掩膜具有预定图案和精度估计图案。
9.根据权利要求2所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(b)中,包括该精确估计图案的区域与该电子束掩膜重叠。
10.根据权利要求2所述的电子束光刻方法,
其特征在于,步骤(d)是步骤(c)的反馈步骤。
11.根据权利要求3所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(a)中,形成一个SCALPEL掩膜,该掩膜具有预定图案和精度估计图案。
12.根据权利要求3所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(b)中,包括该精确估计图案的区域与该电子束掩膜重叠。
13.根据权利要求3所述的电子束光刻方法,
其特征在于,步骤(d)是步骤(c)的反馈步骤。
14.根据权利要求4所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(a)中,形成一个SCALPEL掩膜,该掩膜具有预定图案和精度估计图案。
15.根据权利要求4所述的电子束光刻方法,
其特征在于,在步骤(b)中,包括该精确估计图案的区域与该电子束掩膜重叠。
16.根据权利要求4所述的电子束光刻方法,
其特征在于,步骤(d)是步骤(c)的反馈步骤。
17.一种用于利用电子束光刻图案的电子束光刻装置,其中包括:
用于在条纹连接边界区域中形成多个精度估计图案和所需图案,以形成一个电子束掩膜的掩膜形成装置;
用于利用电子束掩膜光刻图案的光刻装置;
用于利用精度估计图案测量曝光条纹的连接误差的测量装置;
用于从所述测量装置接收反馈数据和用该电子束曝光图案的主曝光装置;以及
用于检查已经被曝光的图案的连接的检测装置。
18.根据权利要求17所述的电子束光刻装置,
其特征在于使用方框标记作为精度估计图案。
19.根据权利要求17所述的电子束光刻装置,
其特征在于使用成对的形方框标记和方形方框标记作为精度估计图案。
20.根据权利要求17所述的电子束光刻方法,
其特征在于使用游标卡尺图案作为精度估计图案。
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