[发明专利]Ⅲ族类氮化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种III族类氮化物半导体器件，其中包括：

—基片；

—第一III族氮化物层，其具有50埃到3000埃的一厚度，并且是通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法形成在所述基片上；以及

—第二III族氮化物半导体层，其形成在所述第一III族氮化物层上。

2.根据权利要求1所述的一种器件，其特征在于所述基片包括蓝宝石基片。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层被形成在所述蓝宝石基片的晶面a上。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于不使用金属有机化合物作为原料的方法是从下面的组中选择的：包括反应性溅射方法的溅射方法；蒸发方法；离子电镀方法；激光烧蚀方法；以及ECR方法。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层包括Al_xGa_1-xN(0≤X≤1)。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层包括AlN。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层的厚度不小于100埃但是小于1000埃。    

8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层形成在被加热到不低于400℃的一个温度的所述基片上。

9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层是在从1000℃到1250℃的一个温度下在包含氢气或氮气和氨气的混合气体的气氛中加热的。

10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于所述第二III族类氮化物半导体层是通过金属有机化学汽相淀积方法形成的。

11.一种III族类氮化物半导体器件，其中包括：

蓝宝石基片；

第一III族类氮化物层，其具有从50埃到3000埃的一厚度并且是通过溅射方法形成在所述蓝宝石基片上；以及

第二III族类氮化物半导体层，其是在所述蓝宝石基片保持在从1000℃到1250℃中的一温度上，通过金属有机化学汽相淀积方法形成在所述第一III族类氮化物层上。

12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层包括AlN。

13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于所述第一III族类氮化物层的厚度不小于100埃但是小于1000埃。

14.根据权利要求11所述的器件，其特征在于氢或氮的载体气体被使用于所述金属有机化学汽相淀积方法中用于形成所述第二III族类氮化物半导体层。

15.一种制造III族类氮化物半导体器件的方法，其中包括步骤：

通过溅射方法在不低于400℃的一温度下在蓝宝石基片上形成一AlN的缓冲层；以及

在加热所述蓝宝石基片的同时，通过金属有机化学汽相淀积方法在所述缓冲层上形成一III族类氮化物半导体层。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于所述缓冲层是形成在所述蓝宝石基片的晶面a上。

17.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于在至少于所述的缓冲层接触的所述第二III族类氮化物半导体层被形成时，氢或氮的载体气体被使用于所述金属有机化学汽相淀积方法中。

18.一种制造III族类氮化物半导体器件的方法，其中包括步骤：

通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法在一基片上形成一第一III族类氮化物层；

在包含氢或氮气和氨气的混合气体的气氛中加热所述第一III族氮化物化合物层；以及

在所述第一III族类氮化物层上形成一第二III族类氮化物半导体层。

19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于所述基片包括蓝宝石基片。

20.根据权利要求19所述的制造方法，其特征在于所述第一族类第三氮化物层是形成在所述蓝宝石基片的晶面a上。