[发明专利]研磨浆液及其用途有效
| 申请号: | 00102820.0 | 申请日: | 2000-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN1313374A | 公开(公告)日: | 2001-09-19 |
| 发明(设计)人: | 蔡明雄 | 申请(专利权)人: | 长兴化学工业股份有限公司 |
| 主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 甘玲 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 研磨 浆液 及其 用途 | ||
1、一种研磨浆液,其包含CeO2、铝的氢氧化物、铈的盐类及水,及视需要包含酸性物质以使研磨浆液具有小于5的pH值。
2、根据权利要求1所述的浆液,其中以100重量份水计,该CeO2的用量范围为0.5至10重量份。
3、根据权利要求1所述的浆液,其中该铝的氢氧化物选自勃姆石、类勃姆石、铝溶胶、氢氧化铝或两或多种此等物质的混合物。
4、根据权利要求1所述的浆液,其中以100重量份水计,该铝的氢氧化物的用量范围为0.1至5重量份。
5、根据权利要求1所述的浆液,其中该铈的盐类是水溶性盐类。
6、根据权利要求5所述的浆液,其中该铈的盐类选自硝酸铈铵、硫酸铈、氯化铈、碳酸铈或其混合物。
7、根据权利要求1所述的浆液,其中以100重量份水计,该铈的盐类的用量范围为0.01至2重量份。
8、根据权利要求1所述的浆液,其中该酸性物质选自硝酸、盐酸、醋酸、磷酸、硫酸或其混合物。
9、一种用于半导体或集成电路制造过程中研磨浅槽绝缘层的方法,其包含以一研磨浆液研磨该浅槽绝缘层,该研磨浆液包含CeO2、铝的氢氧化物、铈的盐类、及水,及视需要包含酸性物质以使研磨浆液具有小于5的pH值。
10、根据权利要求9所述的方法,其中以100重量份水计,该研磨浆液包含0.5至10重量份的CeO2。
11、根据权利要求9所述的方法,其中该铝的氢氧化物是选自勃姆石、类勃姆石、铝溶胶、氢氧化铝或两或多种此等物质的混合物。
12、根据权利要求9所述的方法,其中该研磨浆液以100重量份水计,包含0.1至5重量份的该铝的氢氧化物。
13、根据权利要求9所述的方法,其中该铈的盐类是水溶性盐类。
14、根据权利要求13所述的浆液,其中该铈的盐类选自硝酸铈铵、硫酸铈、氯化铈、碳酸铈或其混合物。
15、根据权利要求9所述的方法,其中该研磨浆液以100重量份水计,包含0.01至2重量份该铈的盐类。
16、根据权利要求9所述的方法,其中该酸性物质选自硝酸、盐酸、醋酸、磷酸、硫酸或其混合物。
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