[发明专利]改善光刻胶耐蚀刻性的方法

权利要求书

1.一种用来产生光刻结构的方法，该方法包括：

(a)提供一种光刻胶，它具有：原料树脂，后者包含在去保护时提供对光化辐射敏感的反应位点的被保护的活性位点；以及光敏成分；

(b)将所述光刻胶涂敷在基片上；

(c)将所述光刻胶的构成图案的区域选择性地暴露在所述光化辐射的有效剂量下；

(d)将所述光刻胶暴露在显影剂下，以便产生构成图案的光刻胶；

(e)将所述原料树脂的被保护的活性位点去保护，以便提供化学反应位点；

(f)使从步骤(e)产生的所述反应位点与含芳族环的蚀刻保护剂起反应，以便把所述蚀刻保护剂包含在所述原料树脂的结构中；以及

(g)对所述基片进行蚀刻。

2.权利要求1的方法，其特征在于：所述光化辐射是波长小于大约2500埃的紫外辐射。

3.权利要求1的方法，其特征在于：所述光化辐射是波长小于大约2000埃的紫外辐射。

4.权利要求1的方法，其特征在于：所述原料树脂包含按重量计的大约0％至20％的芳族成分。

5.权利要求1的方法，其特征在于：所述原料树脂基本上不包含芳族基。

6.权利要求1的方法，其特征在于：所述光刻胶是正性光刻胶。

7.权利要求1的方法，其特征在于：所述光刻胶是负性光刻胶。

8.权利要求1的方法，其特征在于：所述光刻胶包含从一组材料中选择的原料树脂，所述一组材料包括：聚羟基苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚(叔丁基)丙烯酸甲酯，聚乙烯醇，聚乙烯酚，聚降冰片烯，聚(对甲酰)氧基苯乙烯，聚(叔丁氧基羰基氧基苯乙烯)，聚乙烯吡咯烷酮，聚甲基异戊烯基酮，酚甲醛聚合物，蜜胺-甲醛聚合物以及它们的物理和化学组合。

9.权利要求1的方法，其特征在于：所述化学反应位点是从包括以下反应基团的一组中选择的：羟基，羧基，氢硫基，氨基，烷基氨基，亚氨基，甲酰，磺基和膦酰基。

10.权利要求1的方法，其特征在于：所述光刻胶的所述光敏成分是光酸生成元，后者是从一组材料中选择的，所述一组材料包括：二芳基碘盐，三芳基锍盐，取代的芳基重氮盐，卤化甲烷，三氯三嗪，a-萘酚，硝基苯甲醛和聚乙烯氯化物。

11.权利要求1的方法，其特征在于：对所述光刻胶进行的所述去保护步骤包括将所述光刻胶第二次暴露在电磁辐射之下以及把所述光刻胶加热到从大约100℃至大约150℃的温度。

12.权利要求1的方法，其特征在于：所述蚀刻保护剂包括从一组材料中选择的组成部分，所述一组材料包括：芳族聚羧酸，芳族聚羧酸酐和芳族聚羧酸氯化物。

13.权利要求1的方法，其特征在于：所述蚀刻保护剂包括从以下一组材料中选择的化合物，所述一组材料包括：苯二甲酸，邻苯二甲酸酐，间苯二甲酸，对苯二酸，苯二甲酸氯化物，萘二甲酸，萘二甲酸酐，萘乙酸和蒽过氧酸。

14.权利要求1的方法，其特征在于：把所述蚀刻保护剂溶解在水中形成水溶液。

15.权利要求1的方法，其特征在于：所述蚀刻基片的步骤包括等离子体蚀刻。

16.权利要求15的方法，其特征在于：所述等离子体蚀刻是利用含卤素的蚀刻气体实现的。

17.权利要求1的方法，其特征在于还包括在蚀刻之后去除所述光刻胶的步骤。