[发明专利]一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法无效
| 申请号： | 00100116.7 | 申请日： | 2000-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1120897C | 公开（公告）日： | 2003-09-10 |
| 发明（设计）人： | 赵柏儒;林媛;彭海兵;郝昭;许波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基片上 生长 单一 取向 锆钛酸铅 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/00100116.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：整面无拼缝连青双合竹地板的制法、其专用设备及其产品
- 下一篇：吸收式致冷机
- 同类专利
- 专利分类
