[发明专利]一种应用于薄膜太阳能电池激光交叉线划刻方法及装置在审
申请号: | 202310381598.2 | 申请日: | 2023-04-11 |
公开(公告)号: | CN116387402A | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 仁烁光能(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0445;B23K26/362;B23K26/06;B23K101/36 |
代理公司: | 广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙) 44614 | 代理人: | 王园园 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种应用于薄膜太阳能电池激光交叉线划刻方法,所述薄膜太阳能电池包括基板,所述基板上依次层叠有前电极层、光电转换层以及背电极层,包括以下步骤:S10:形成一包括第一激光模块和第二激光模块的光源模块;S20:基板在同光源模块相对位移时,第一激光模块从基板下方划刻掉前电极层以外的所有膜层;S30:第二激光模块沿前述S20第一激光模块的划刻位置对前电极层进行划刻,本发明中通过绿光以及红外激光组合的方式,且必须绿光先划刻,红外激光跟随划刻的方式,保证划刻精度及稳定性,解决产能问题,以及漏电划线稳定性问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 薄膜 太阳能电池 激光 交叉 线划刻 方法 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的