[发明专利]一种宽温度稳定性的高储能密度铌酸锶钠基钨青铜陶瓷及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110105439.0 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN112876247B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 郑鹏;张新忠;白王峰;郑梁;张阳 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622;C04B41/88
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种宽温度稳定性的高储能密度铌酸锶钠基钨青铜陶瓷及制备方法,采用固相合成方法,以填充型钨青铜材料Sr2NaNb5O15为基础,掺入一定量的Ta5+替代Nb5+,其化学式是Sr2NaNb5‑xTaxO15,其中0.0≤x≤2.0。本发明获得的脉冲储能介质陶瓷材料,具有较高的可恢复储能密度Wrec=3.99J/cm3,较高的储能效率η=91.7%,在170kV/cm电场下,功率密度PD=78.7MW/cm3,电流密度可达925.8A/cm2,能量存储性能较现有产品有大幅提升。更重要的是,储能密度在较宽的温度范围内变化率小于2.5%,表现出优异的温度稳定性。所述制备方法工艺流程简单,适合工业化生产,同时符合当前无铅环保的要求。
搜索关键词: 一种 温度 稳定性 高储能 密度 铌酸锶钠基钨 青铜 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
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