[发明专利]一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种Cd/Cu₂O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO₄•5H₂O溶液和CdSO₄溶液并搅拌混合均匀，再加入NaOH溶液。(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~120℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2473~0.4602 V的Cd/Cu₂O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。

主权项

1.一种Cd/Cu₂O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为： (1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入8.00 mL浓度为0.05 ~ 0.40 mol/L 的CuSO₄•5H₂O溶液和4.00 mL浓度为0.000 mol/L ~ 0.005 mol/L 的CdSO₄溶液并搅拌混合均匀，再加入2.00 mL浓度为0.10 ~ 0.50 mol/L的 NaOH溶液；(2)将Cu片放入步骤(1) 反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50 ℃ ~ 120 ℃的烘箱中反应5 ~ 10 小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2473 ~ 0.4602 V的Cd/Cu₂O纳米薄膜。