[发明专利]半导体结构

摘要

本发明公开了半导体结构，其中一种半导体结构，可包括：半导体基板；位于所述半导体基板上的井区；射频电路，包括至少一个鳍式场效应晶体管，所述鳍式场效应晶体管包括位于所述井区之上的多个第一鳍片和多个第一多边形，其中，所述多个第一多边形与所述多个第一鳍片垂直；与所述射频电路相邻的第一保护环，所述第一保护环包括位于所述井区之上的多个第二鳍片和一对第二多边形，其中，所述第二多边形与所述多个第二鳍片垂直；第一隔离区，直接设置在所述射频电路和所述第一保护环之间；其中，所述多个第一鳍片与所述多个第二鳍片平行，且所述多个第一鳍片通过所述第一隔离区与所述多个第二鳍片隔离。实施本发明实施例，可减小半导体的区域。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体基板；位于所述半导体基板上的井区，所述井区具有第一导电类型；射频电路，所述射频电路包括至少一个鳍式场效应晶体管，所述鳍式场效应晶体管包括位于所述井区之上的多个第一鳍片和多个第一多边形，其中，所述多个第一多边形与所述多个第一鳍片垂直；与所述射频电路相邻的第一保护环，所述第一保护环包括位于所述井区之上的多个第二鳍片和一对第二多边形，其中，所述第二多边形与所述多个第二鳍片垂直；第一隔离区，直接设置在所述射频电路和所述第一保护环之间；其中，所述多个第一鳍片与所述多个第二鳍片平行，且所述多个第一鳍片通过所述第一隔离区与所述多个第二鳍片隔离。