[发明专利]具有提供晕圈注入峰值限制的超晶格层的半导体装置和相关方法有效
| 申请号： | 201680036083.7 | 申请日： | 2016-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN107810549B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | R·J·梅尔斯;武内英树 | 申请（专利权）人： | 阿托梅拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/10;H01L29/15;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置可以包括半导体衬底和在半导体衬底上的多个场效应晶体管(FET)。每个FET可以包括：栅极；在栅极的相对侧上的间隔开的源极区和漏极区；垂直堆叠的上超晶格层和下超晶格层以及在源极区和漏极区之间的上超晶格层和下超晶格层之间的体半导体层；以及晕圈注入部，具有垂直限制在上超晶格和下超晶格之间的体半导体层中的峰值浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提供 注入 峰值 限制 晶格 半导体 装置 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底；和在所述半导体衬底上的多个场效应晶体管FET，并且每个场效应晶体管FET包括：栅极，在所述栅极的相对侧上的间隔开的源极区和漏极区，垂直堆叠的上超晶格层和下超晶格层以及在所述源极区和漏极区之间的所述上超晶格层和下超晶格层之间的体半导体层，晕圈注入部，具有垂直限制在上超晶格和下超晶格之间的体半导体层中的峰值浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
