[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201611066885.0 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122790B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈怡骏;华宇;游宽结;王超;张珊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法可以包括：提供衬底结构；在该衬底结构上形成第一金属层；在该第一金属层上形成第二金属层；在第一温度下在该第二金属层上形成第一氧化物层；以及在第二温度下执行包含热过程的工艺操作；其中，该第一温度小于该第二温度。本发明可以降低由于热过程导致的扩散到第二金属层表面的第一金属的浓度，从而可以减少在第二金属层表面由于氧化形成的第一金属的氧化物，进而有利于实施金属连线的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构；在所述衬底结构上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；在第一温度下在所述第二金属层上形成第一氧化物层；以及在第二温度下执行包含热过程的工艺操作；其中，所述第一温度小于所述第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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