[发明专利]一种直流输入电压的欠压及过压保护电路和方法有效

专利信息
申请号: 201610983200.2 申请日: 2016-11-07
公开(公告)号: CN106329468B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 李伟波;马晋;瞿浩正;韩业实 申请(专利权)人: 深圳华云数码有限公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20;H02H3/24
代理公司: 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 代理人: 宋建平
地址: 518022 广东省深圳市罗湖区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种输入欠压或过压保护电路,具体公开了一种直流输入电压的欠压及过压保护电路和方法,该电路包括:一级电路和二级电路,所述一级电路和二级电路串联连接,所述一级电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和一个P沟道增强型MOS管,所述二级电路包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、一个P沟道增强型MOS管和一个反函数型指数电路,所述一级电路输入电压为Vi,所述一级电路输出电压为Vo1,所述Vo1为所述二级电路的输入电压VS,所述二级电路输出电压为Vo2。本发明通过采用两级串联开关电路,电路使用的元器件少,结构简单,成本低,可实现对嵌入式单板电路中的精密IC以及对电压变化范围敏感的元器件形成保护,从而延长电路使用寿命。
搜索关键词: 一种 直流 输入 电压 保护 电路 方法
【主权项】:
1.一种直流输入电压的欠压及过压保护电路,其特征在于,包括:一级电路和二级电路,所述一级电路和二级电路串联连接,所述一级电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和一个P沟道增强型MOS管,所述二级电路包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、一个P沟道增强型MOS管和一个反函数型指数电路,所述P沟道增强型MOS管的阈值电压为VGS(th),所述一级电路输入电压为Vi,Vi满足所述一级电路输出电压为Vo1,所述Vo1为所述二级电路的输入电压VS,所述P沟道增强型MOS管栅、源极之间的电压为VGS,所述VS满足K为反函数型指数电路中与对数模拟运算相关模块内选取的二极管或三极管器件参数相关的常数,所述二级电路输出电压为Vo2,其中,R1为所述第一电阻,R2为所述第二电阻,R3为所述第三电阻,R4为所述第四电阻。
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