[发明专利]一种二极管功率模块在审
申请号: | 201510225934.X | 申请日: | 2015-05-06 |
公开(公告)号: | CN104867897A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 季霖夏 | 申请(专利权)人: | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 翁霁明 |
地址: | 314006 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种二极管功率模块,它主要包括:半导体芯片,金属化陶瓷衬底,铝带,散热基板和外壳,所述的二极管芯片通过焊料焊接到金属化陶瓷衬底的阳极上;使用超声波键合将金属化陶瓷衬底的阳极铜层通过铝带和二极管芯片的阳极相连;所述金属化陶瓷衬底的背面铜层通过焊料焊接到散热基板上;所述的金属化陶瓷衬底由第一铜表面、中间陶瓷层和第二铜表面通过金属化陶瓷工艺制成,所述的铝带为用连续铸轧工艺或其它合适工艺制成的软态铝带;散热基板通过密封胶与外壳粘合;所述的软态铝带使用超声波键合方法焊接在半导体芯片的表面;它具有结构简单,封装质量好,能保障封装与工艺和要求,大大提高了可靠性和过电流能力等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 功率 模块 | ||
【主权项】:
一种二极管功率模块,它主要包括:半导体芯片,金属化陶瓷衬底,铝带,散热基板和外壳,其特征在于所述的二极管芯片(2)通过焊料(4)焊接到金属化陶瓷衬底的阳极(3)上;使用超声波键合将金属化陶瓷衬底的阳极铜层(6)通过铝带(1)和二极管芯片的阳极相连;所述金属化陶瓷衬底的背面铜层(10)通过焊料(8)焊接到散热基板(5)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴斯达微电子有限公司,未经嘉兴斯达微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510225934.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:倒装芯片堆叠封装
- 下一篇:一种半导体器件的制造方法