[发明专利]一种真空密封的大容量直流继电器陶瓷壳体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410316175.3 申请日: 2014-07-04
公开(公告)号: CN104058733A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 康丁华 申请(专利权)人: 娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622;C04B41/88;C04B37/02;H01H50/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 417700 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种真空密封的大容量直流继电器陶瓷壳体及其制备方法,继电器陶瓷壳体包括陶瓷件、铜电极和可伐合金盖板,陶瓷件由五元系陶瓷材料制成,五元系陶瓷材料的组成成分包括Al2O3、CaCO3、Cr2O3、SiO2、MgO。陶瓷件上端面和下端面部分丝印金属化钼锰层,金属钼锰层经高温烧结后与陶瓷结合,金属钼锰层再进行化学镀镍,金属化钼锰层镀镍后可与合金、无氧铜等金属进行焊接,焊接拉拔力可达90Mpa/cm2以上。本发明将现有陶瓷金属化,其陶瓷材料和金属化材料都进行了改进,在陶瓷上增加金属材料,由原三元系材料改为五元系材料,大大增强了陶瓷的强度及硬度,降低了脆性。
搜索关键词: 一种 真空 密封 容量 直流 继电器 陶瓷 壳体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种真空密封的大容量直流继电器陶瓷壳体,包括陶瓷件、铜电极和可伐合金盖板,其特征是:所述陶瓷件由五元系陶瓷材料制成,所述五元系陶瓷材料的组成成分包括Al2O3、Cr2O3、SiO2、MgO、CaCO3,所述Al2O3:CaCO3:Cr2O3 :SiO2的质量比为100:3.5:2.5:1.3,MgO的配比为Al2O3和Cr2O3的总量的0.5%‑1%。
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