[发明专利]芯片用树脂膜形成用片材在审
| 申请号： | 201380012849.4 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104160491A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吾妻祐一郎;市川功 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;C08J5/18;C08K7/04;C09J11/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;刘明海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于，在半导体装置的制造工序中，在不对半导体晶片、芯片实施使工序数目增加、工艺繁杂化那样的特别处理的情况下，对所得的半导体装置赋予散热特性。本发明的芯片用树脂膜形成用片材具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)及无机填料(C)，该树脂膜形成层的热扩散率为2×10 |
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| 搜索关键词： | 芯片 树脂 形成 用片材 | ||
【主权项】：
1.一种芯片用树脂膜形成用片材，其具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)及无机填料(C)，相对于粘合剂聚合物成分(A)100质量份，固化性成分(B)为1～1500质量份，该树脂膜形成层中的无机填料(C)的含有比例相对于构成该树脂膜形成层的全部固体成分为30～80质量％，该树脂膜形成层的热扩散率为2×10-6 m2 /s以上。
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