[发明专利]静电惯性约束型无靶中子管

摘要

本发明属于可关断中子源，具体涉及一种静电惯性约束型无靶中子管。本发明利用静电惯性约束的原理设计而成，新型中子管，由密闭球形金属腔，球形腔中心处放置一个鼠笼形的金属电极，以及储存器密封于一起构成。储存器加热放出氘氚混合气体，当鼠笼形金属电极加上数10KV—100KV的负高压时，在腔体内产生氘（D）、氚（T）的离子，且中心区域离子密度最高。氘氚离子在腔内被电场加速奔向中心区域，穿过中心区域靠惯性继续前行，当速度降为零时折返回，如此往复运动，在中心区域氘氚离子发生碰撞而产生中子。这种结构的中子管，其寿命和稳定性指标得到明显改善。在相同中子产额下，寿命比PIG源中子管提高大约1个数量级。

主权项

静电惯性约束型无靶中子管，其特征是整体是同心球形结构，把储存器（6）、鼠笼金属电极（3）密封在不锈钢球形腔内，金属腔外是冷却机构，构成一只结构简单紧凑的电真空器件，负高压电极（1）和陶瓷绝缘棒（2）封接在一起，负高压电极（1）的另一端与鼠笼形金属电极（3）焊接；陶瓷绝缘棒（2）与不锈钢球形腔壁（10）及不锈钢金属壳（11）封接在一起，鼠笼形金属电极（3）与不锈钢球形腔壁（10）同心；储存器电极（4）和无氧铜管（5）封接在法兰盘上，储存器电极（4）的另一端与储存器（6）焊接在一起，储存器（6）的另一端焊接在法兰盘上，法兰盘通过真空密封圈装在中子管上，通过无氧铜管（5）充氘分氚后掐断无氧铜管（5）并密封；在不锈钢金属壳（11）外焊接上地电极（13），从中子输出口8输出中子，冷却液（9）由冷却液流入口（12）流入，从冷却液流出口（7）流出。