[发明专利]一种修复晶圆表面亚稳态化学键的方法无效
| 申请号： | 201210259079.0 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102779749A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种修复晶圆表面亚稳态化学键的方法。本发明提出一种修复晶圆表面亚稳态化学键的方法，通过采用离子溶液修复通过电子束缺陷扫描工艺形成的亚稳态化学键，有效避免在钨连接层的表面形成钨污染物，进而提供产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修复 表面 亚稳态 化学键 方法 | ||
【主权项】：
一种修复晶圆表面亚稳态化学键的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一包含钨连接层的半导体结构上，对所述钨连接层进行缺陷扫描后，于所述钨连接层上形成亚稳态的化学键层；步骤S2：采用离子溶液修复所述亚稳态的化学键层；其中，所述离子溶液对所述半导体结构及钨连接层没有损害。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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