[发明专利]具有能带结构电位波动的高效紫外发光二极管有效
申请号: | 201180021530.9 | 申请日: | 2011-05-02 |
公开(公告)号: | CN103003961A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 廖翊韬;T·D·穆斯塔克斯 | 申请(专利权)人: | 波士顿大学理事会 |
主分类号: | H01L33/04 | 分类号: | H01L33/04;H01L33/30 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种生长AlGaN半导体材料的方法利用高于通常使用的化学计量量的过量的Ga。过量Ga导致能带结构电位波动的形成,提高了辐射性再结合的效率,并增大了使用该方法制成的光电器件,尤其是紫外发光二极管的光生成。还提供了UV LED设计和性能的若干改进,以与过量Ga生长方法一起使用。以该方法制成的器件可以用于水净化、表面消毒、通信、数据存储和取回。 | ||
搜索关键词: | 具有 能带 结构 电位 波动 高效 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种制造紫外发光二极管的方法,在所述LED的有源区中具有能带结构电位波动,所述方法包括使用过量的镓来生长第一AlGaN量子阱层的步骤。
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