[发明专利]一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710119783.5 申请日: 2007-07-31
公开(公告)号: CN101359136A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 张弥;朴春培 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构,包括:基板;横向折线型排布的栅电极扫描线;栅电极绝缘层;纵向折线型排布的数据扫描线,与横向折线型排布的栅电极扫描线共同定义一多边形的像素单元;一薄膜晶体管,形成在栅电极扫描线和数据扫描线的重叠排布处,数据扫描线充当源电极;钝化层;像素电极,像素电极与薄膜晶体管的漏电极连接。本发明同时公开了一种TFT LCD阵列基板结构的制造方法。本发明通过将数据线排布于栅电极扫描线上充当源电极,取消了金属栅电极,最大程度上增大了开口率;使用非横向排布的栅电极扫描线及公共电极为相邻三像素的公共组成结构,可以充分利用基板的空间,使得像素数目达到最大。
搜索关键词: 一种 tft lcd 阵列 板结 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种TFT LCD阵列基板结构,其特征在于,包括:一基板;一横向折线型排布的栅电极扫描线,形成在所述基板之上;一栅电极绝缘层,形成在所述栅电极扫描线及栅电极和基板之上;一纵向折线型排布的数据扫描线,形成在所述栅电极绝缘层之上,且与所述横向折线型排布的栅电极扫描线共同定义一多边形的像素单元;一薄膜晶体管,形成在所述栅电极扫描线和数据扫描线的重叠排布处,数据扫描线充当源电极;一钝化层,形成在所述栅电极绝缘层、数据扫描线及薄膜晶体管之上,并在所述薄膜晶体管的漏电极之上形成钝化层过孔或沟槽;一像素电极,形成在所述钝化层上,并通过所述钝化层过孔或沟槽与所述薄膜晶体管的漏电极连接。
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