[发明专利]磁场辅助化学气相沉积法无效
| 申请号： | 200610114717.4 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101190779A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘云圻;魏大程;曹灵超;付磊;李祥龙;王钰;于贵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C23C16/448 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种磁场辅助化学气相沉积法，涉及纳米材料的制备技术，用以制备分支型及填充型纳米材料；其是在公知的化学气相沉积过程中，通过引入外加磁场的方法使催化剂粒子合并或分裂，来制备分支型或填充型的纳米材料。本发明方法制备的分支型或填充性纳米材料形貌均一，结构缺陷少，性能优越，为发展纳米电子器件、纳米电路和增强复合材料，以及为将纳米材料应用于高密度磁存储器、磁性墨水、磁共振成像等打下了坚实的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 辅助 化学 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种磁场辅助化学气相沉积法，用以制备分支型及填充型纳米材料；其特征在于：在公知的化学气相沉积过程中，通过引入外加磁场的方法使催化剂粒子合并或分裂，来制备分支型或填充型的纳米材料。
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