[发明专利]形成发光二极管的方法无效
| 申请号： | 200310119895.2 | 申请日： | 2003-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1624941A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 郭政达;蔡文忠;陈聪育;黄少华 | 申请（专利权）人： | 连威磊晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹县303*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种形成发光二极管的方法。以微影蚀刻方式定义出发光二极管晶粒以取代切割步骤，并利用化学或物理方法来形成发光二极管的金属基板的方式。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成发光二极管的方法，其特征在于，包含以下的步骤：形成一发光二极管磊晶层于一暂时性基板之上；以微影蚀刻将该发光二极管磊晶层蚀刻成发光二极管晶粒；形成一反射层于该发光二极管晶粒之上；以化学或物理方法形成一金属层于该反射层之上，作为永久金属基板；移除该暂时性基板；形成电极于该发光二极管晶粒移除该基板后裸露的表面上；以及将金属基板以机械应力分开，以形成独立的发光二极管晶粒。
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