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[发明专利]射频线圈及电感耦合等离子体设备-CN202310930951.8在审
发明人：赵成伟;邬文波 -专利权人：西实显示高新材料（沈阳）有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频线圈及电感耦合等离子体设备。射频线圈包括线圈主体；线圈主体包括至少两个移动段与至少一个伸缩段，任意相邻的两个移动段通过伸缩段连接，移动段与伸缩段交替设置，以使线圈主体呈线型；伸缩段能够伸缩而长度改变，至少两个移动段的相对位置能够改变，以使线圈主体的形状改变。电感耦合等离子体设备包括气源组件、腔体与上述射频线圈。上述线圈主体通入电流后产生高频电磁场。在针对不同的待镀膜产品或不同批次的待镀膜产品对镀膜的不同要求，可以将相应的移动段进行位置调节，伸缩段可根据相邻两个移动段之间的位置改变以进行伸缩，从而改变线圈主体形成的电磁场，以得到分布状态符合要求的等离子体。
射频线圈电感耦合等离子体设备

[发明专利]电子显微镜、电子-光子相关性测定装置以及电子-光子相关性测定方法-CN202280020219.0在审
发明人：三宫工;柳本宗达;秋叶圭一郎;齐藤光 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/26 文献下载
摘要：本发明所涉及的实施方式的电子显微镜具备：电子枪，其向试样照射电子；电子检测器，其检测被照射到试样的电子；光子检测器，其检测在电子被照射到试样时从试样发射的光子；以及运算器，其基于电子检测器检测到电子的时间以及光子检测器检测到光子的时间，针对检测到的每个光子运算电子被照射到试样的时间与光子被从试样发射出的时间的时间差，并运算表示时间差的分布的电子‑光子时间相关性。
电子显微镜电子光子相关性测定装置以及方法

[发明专利]质量分析装置-CN202310302863.3在审
发明人：藤田慎二郎 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明的质量分析装置具备：检测器(3)，根据与检测器电压相对应的增益，与入射的离子相对应而生成电流脉冲信号；电压产生部(6)，对检测器提供检测器电压；分支部(41)，将基于从检测器的阳极(30)取出的电流脉冲信号的电压脉冲信号分支为多个；脉冲计数部(43，45)，将该信号的一方以脉冲计数方式检测；模拟检测部(42，44)，将信号的另一方以模拟检测方式检测；换算信息存储部(461)，保持有示出测量执行时的检测器电压下的、计数值为非饱和状态的规定的计数值与此时的模拟检测值的对应关系的换算信息；换算计数值计算部(462，463)，在计数值或模拟检测值的任一个比规定值大时，使用此时的模拟检测值与换算信息计算出换算计数值。
质量分析装置

[发明专利]操作方法以及处理方法-CN202310698506.3在审
发明人：庄岱融;萧乔远;陈永传;钟玮刚;林侑立;谢瑞夫;廖志腾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的实施例关于一种操作方法，借由改造一等离子体处理系统的一或多个部件，操作等离子体处理系统。操作方法包括从等离子体处理系统的一气体供应机构移除一保持器。保持器包括一气体注射器，配置以将从一气体源接收的气体提供到等离子体处理系统的一等离子体腔室。操作方法更包括减少保持器的一引导销的一尺寸，将保持器安装到气体供应机构中，保持器包括尺寸减少的引导销，以及旋转气体注射器以改变通过气体注射器的一气流。
操作方法以及处理方法

[发明专利]用于实现RPS净化的气体混合器-CN202180079522.3在审
发明人：阮芳;D·凯德拉亚;A·班塞尔;V·S·C·帕里米;R·纳拉亚南;B·N·拉马穆尔蒂;S·L·明斯;J·G·K·约瑟夫;R·乔德里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种半导体处理系统包括远程等离子体源(RPS)、面板，以及定位在RPS与面板之间的输出歧管。输出歧管由与净化气源流体耦接的多个净化出口和与沉积气源流体耦接的多个沉积出口表征。输送管在RPS与面板之间延伸且流体耦接RPS和面板。输送管由大体圆柱形的侧壁，所述大体圆柱形的侧壁限定以径向图案布置的上部多个孔隙。上部孔隙中的每一者与净化出口中的一者流体耦接。大体圆柱形的侧壁限定下部多个孔隙，所述下部多个孔隙以径向图案布置且在上部多个孔隙下方。下部孔隙中的每一者与沉积出口中的一者流体耦接。
用于实现 rps 净化气体混合器

[发明专利]晶片载放台-CN202310005571.3在审
发明人：井上靖也;久野达也 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片载放台，能够使陶瓷基材的正上方区域的等离子体密度提高。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)，其上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)；导电性基材(30)，其设置于陶瓷基材(20)的下表面侧，兼用作等离子体发生电极，直径与陶瓷基材(20)的直径相同；支撑基材(40)，其设置于导电性基材(30)的下表面侧，直径大于导电性基材(30)的直径，且与导电性基材(30)电绝缘；以及安装用凸缘(42)，其为支撑基材(40)的比导电性基材(30)向半径方向外侧突出的部分。
晶片载放台

[发明专利]确定带电粒子束的像差的方法和带电粒子束系统-CN202310294235.5在审
发明人： D·恩伯格;J·布罗伊尔 -专利权人： ICT半导体集成电路测试有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/28 文献下载
摘要：描述了一种确定在带电粒子束系统中由具有给定数值孔径(NA)的聚焦透镜(120)聚焦到样品(10)的带电粒子束(11)的像差的方法。所述方法包括：(a.)至少基于给定数值孔径(NA)，针对一组束像差系数(C1...n)中的第一束像差系数(C1)的两个或更多个不同值中的每一个，在一个或多个第一散焦设置下模拟一个或多个束横截面，以提供多个第一模拟束横截面；(b.)从多个第一模拟束横截面中提取与第一束像差系数(C1)相关的第一像差特性(～C1)的两个或更多个值；(c.)确定第一束像差系数(C1)与第一像差特性(～C1)之间的第一相关性；(d.)在一个或多个第一散焦设置下或在一个或多个第二散焦设置下拍摄样品的一个或多个图像，以提供一个或多个拍摄的图像，并且从一个或多个拍摄的图像中检索一个或多个检索到的束横截面；(e.)从一个或多个检索到的束横截面中提取第一像差特性的检索值；以及(f.)基于第一相关性并且基于第一像差特性的检索值，确定第一束像差系数的实际值。
确定带电粒子束方法系统

[发明专利]一种用于激光剥蚀系统的动态密封样品池-CN202310685419.4在审
发明人：胡勇刚;王辉;刘旭兰;陈国荣 -专利权人：上海凯来仪器有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J49/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于激光剥蚀系统的动态密封样品池包括样品池，包括：样品池壳体、采集杯、进气口、出气口、样品支架和样品池底座；所述进气口和出气口设置在样品池壳体上，所述样品支架设置在样品池底座上；所述采集杯和所述出气口连接并且固定在所述样品池壳体的内部；所述样品池壳体为一下端开口的罩壳形，所述样品池底座的上表面为光滑平面，所述样品池壳体的下端和所述样品池底座的上表面可滑动的密封接触。本发明除了样品、采集杯及密闭的小型样品支架升降平台外，没有其它物品，大大避免了外来的污染影响检测质量，并且较好的密封性使得减少了样品池内位置效应造成的气流分布不均匀，从而提高检测信号灵敏度和稳定性。
一种用于激光剥蚀系统动态密封样品

[发明专利]一种碳纳米管冷阴极及制备方法-CN202311024356.4在审
发明人：黄芳亮;石波;赵亚全;许承渊;曾德海;赵立山 -专利权人：海宁精奕电子有限公司
申请日： 2023-08-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本申请提供一种碳纳米管冷阴极及制备方法，其中，碳纳米管冷阴极包括基座和碳纳米管。基座包括上表面和下表面，基座的下表面设置有开口朝下的第一凹槽，第一凹槽向靠近基座上表面的方向延伸预定深度。碳纳米管形成在基座的上表面，其中，在形成碳纳米管时，第一凹槽用于中用于插入产生热量的加热子。本申请的技术方案中，碳纳米管直接形成在基座上，碳纳米管无需单独转移，且基座提供了局部加热制备碳纳米管的结构，加热区域小，能量利用效率高。
一种纳米阴极制备方法

[发明专利]一种多级碰撞室及具有其的质谱仪-CN202311214232.2在审
发明人：张小华;朱敏杰;查卓越 -专利权人：安益谱（苏州）医疗科技有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级碰撞室及具有其的质谱仪，碰撞室包括主腔室和次级腔室，次级腔室设置在主腔室的前端，次级腔室的内部压强小于主腔室的内部压强；次级腔室的前端设有第三离子透镜，主腔室前、后两端分别设有第一离子透镜、第二离子透镜，所述第一离子透镜、第二离子透镜、第三离子透镜上的中间位置分别设有第一通孔、第二通孔和第三通孔；主腔室的内部设有多个沿其轴心线方向设置的第一电极杆，第一电极杆设置在第一离子透镜和第二离子透镜之间，次级腔室的内部设有多个沿其轴心线方向设置的第二电极杆，第二电极杆设置在第一离子透镜和第三离子透镜之间。本发明能够提高进入主腔室的离子数量、增强质谱仪检测物质的信号强度。
一种多级碰撞具有质谱仪

[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法-CN202311219550.8在审
发明人：母凤文;高文琳;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法，所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板；所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上，来调整并优化等离子的刻蚀强度和作用，平衡刻蚀中心与刻蚀边缘的刻蚀效果，使刻蚀更加平稳而均匀，进而可以精准控制刻蚀过程，在有效去除刻蚀目标的同时，防止过度刻蚀，有效保护衬底。进一步地，本发明通过配有翻转机构和/或伸缩机构来控制多孔挡板，实现其对等离子体阻挡作用的打开或关闭，进而可以选择性地使用多孔挡板或不使用多孔挡板来进行刻蚀，以形成更加灵活且具有针对性的刻蚀工艺过程。
一种等离子体刻蚀装置方法

[发明专利]X射线管的阴极组件及X射线管-CN202311221420.8在审
发明人：阳恩会;唐志宏 -专利权人：上海超群检测科技股份有限公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J35/06 文献下载
摘要：一种X射线管的阴极组件及X射线管，X射线管的阴极组件包括：聚焦罩，具有腔体；灯丝槽体设置于腔体内，具有镂空开口；第一侧板具有平整的第一外表面并至少一部分位于镂空开口内；第二侧板具有平整的第二外表面并至少一部分位于镂空开口内，第二外表面面向第一外表面并形成第一狭缝，第一侧板和第二侧板可相向移动或相离移动；第一电子发射体设置于第一狭缝内。沿第一狭缝的宽度方向，第一侧板与第一外表面相对设置的第一内表面与镂空开口的第一边缘之间具有不为零的第一间隙；和/或第二侧板与第二外表面相对设置的第二内表面与朝向镂空开口的第二边缘之间具有不为零的第二间隙。上述方案能够降低狭缝的形成难度及成本，延长X射线管的寿命。
射线阴极组件

[发明专利]一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置-CN202311222963.1在审
发明人：杨振;贺小明;李雪冬;郑天成;胡杰;邹博;王聪;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置，该静电吸盘包括：基座、加热层、吸附层，以及由第一胶接层和第二胶接层组成的胶接层，加热层位于第一胶接层和第二胶接层之间，还包括环绕覆盖胶接层裸露侧面的陶瓷密封环。在胶接层指向陶瓷密封环的方向上，陶瓷密封环的长度变大。由上述可知，上述静电吸盘采用陶瓷密封环，并且该陶瓷密封环与吸附层和/或基座的接触面积较小，从而能够减小陶瓷密封环的导热能力，使得陶瓷密封环能够对静电吸盘的边缘起到保温作用，降低静电吸盘边缘的温度梯度，以为利用陶瓷密封环对胶接层进行密封提供了一种可行方案，进而在提高静电吸盘使用寿命的同时，保证静电吸盘的温控能力。
一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置

[发明专利]一种方形多级降压收集极-CN202311172382.1在审
发明人：刘青伦;王庆祥;何俊;曹林林;李海强;刘林;孙宇辉 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J23/027 文献下载
摘要：本公开提供了一种方形多级降压收集极，包括：多个收集极电极，沿各收集极电极的轴向依次连接，形成级联结构；四个绝缘瓷板，各绝缘瓷板分别焊接于收集极电极和外筒之间，其中与外筒焊接的区域位于外筒的四个内周面上；外筒，为中空方形结构，围绕并外接于各绝缘瓷板形成的外廓上。该方形多级降压收集极增加了绝缘性能，而且减小了体积和重量，节省了空间，满足了MPM对行波管等电真空器件小型化及集成化的应用需求。
一种方形多级降压收集

[发明专利]2650kHz射频感应真空紫外灯-CN202210389165.7在审
发明人：束继年;杨波;张作建 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J61/30 文献下载
摘要：本发明涉及的2650kHz射频感应真空紫外灯，由2650 kHz射频发生器、射频耦合器铝合金杆、真空紫外灯铝合金底座、空心柱状高温玻璃灯泡、激发线圈、铁氧体磁芯和可透射真空紫外光的窗片组成。射频耦合器铝合金杆、激发线圈和铁氧体磁芯构成射频耦合器。该灯采用2650kHz射频结合导磁材料耦合技术产生真空紫外光，2650 kHz射频发生器和射频耦合器是商业化照明无极灯的射频发生器和耦合器。灯泡内封有30帕到300帕的氩气、氪气、氙气或其与氦气的混合气体。射频发生器产生射频电流流过缠在铁氧体磁芯上的激发线圈，产生感应磁场激发灯泡内的惰性气体形成等离子体放电，等离子体产生的真空紫外光经可透射真空紫外光的窗片输出出来。
2650 khz 射频感应真空紫外

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