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[发明专利]一种印刷用晒版机-CN202111017686.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：周军阳
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及印刷技术领域，且公开了一种印刷用晒版机，包括管道，所述管道的底部安装有过滤装置，所述过滤装置由第一过滤板、第二过滤板构成，所述第二过滤板置于第一过滤板的顶部，所述第一过滤板与第二过滤板的侧壁通过螺栓连接有合页，所述第一过滤板通过合页与第二过滤板转动连接，所述第一过滤板上安装有伸缩杆。阻挡灰尘通过管道进入真空泵的内部，同时离子发生器电源与真空泵相互连接，使得真空泵的工作效率越大，离子发生器释放的电场越强，使得灰尘被大量吸附，使得真空泵在使用中，保持洁净的状态，同时增加管道的流畅性，使得管道在使用中始终对空气吸取，确保晒版机内部处于真空状态，使得加工后的工件质量得到提升。
一种印刷用晒版机

[发明专利]一种印刷晒版机及其使用方法-CN202111006097.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：周军阳
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及印刷技术领域，且公开了一种印刷晒版机及其使用方法，包括管道，所述管道的底部安装有过滤装置，所述过滤装置由第一过滤板、第二过滤板构成，所述第二过滤板置于第一过滤板的顶部，所述第一过滤板与第二过滤板的侧壁通过螺栓连接有合页，所述第一过滤板通过合页与第二过滤板转动连接，所述第一过滤板上安装有伸缩杆。阻挡灰尘通过管道进入真空泵的内部，同时离子发生器电源与真空泵相互连接，使得真空泵的工作效率越大，离子发生器释放的电场越强，使得灰尘被大量吸附，使得真空泵在使用中，保持洁净的状态，同时增加管道的流畅性，使得管道在使用中始终对空气吸取，确保晒版机内部处于真空状态，使得加工后的工件质量得到提升。
一种印刷晒版机及其使用方法

[发明专利]双重图形光刻中对半导体器件设计布局的分解和标记-CN201110242092.0有效
发明人：徐金厂;杨稳儒;赵孝蜀;郑仪侃;鲁立忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重图形光刻中对半导体器件设计布局的分解和标记，具体地，为了评估半导体器件水平面的设计布局，并且为了确定和指示将要通过由分解设计布局所得到的不同光掩模形成的设计布局的不同部件，提供了系统和方法。通过标记指示的部件将各种器件部件与多个光掩模相关联，根据该标记，将利用双重图形光刻(DPL)技术在半导体器件水平面上形成或者制成该多个光掩模。在器件水平面完成标记，并且该标记包含在电子文件上，该电子文件由设计室提供给光掩模制造厂。当标识和标记各种器件部件时，除了被分解的设计布局的覆盖因素和临界尺寸因素，还要考虑各种其他器件原则、设计规则、工艺原则及其相互关系，以及器件环境和其他器件层。
双重图形光刻半导体器件设计布局分解标记

[发明专利]提高7350光刻胶热稳定性的方法-CN201110217319.6有效
发明人：张国华;陈杰;陈正才;李俊 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其包括如下步骤：a、第一次UV坚膜：将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜；坚膜起始温度为100℃~110℃；起始温度保持时间为80~90秒，然后在47~53秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至123℃~137℃；b、第二次UV坚膜：将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为114℃~126℃，其实温度保持时间为44~50秒；然后在95~105秒内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至190℃~210℃。本发明第一次UV坚膜工艺，使7350光刻胶内大部分溶剂挥发，并通过第二次UV坚膜工艺，使7350光刻胶变硬，以满足7350光刻胶作为掩模的要求，能够完成0.6μm金属条刻蚀的要求；与常规的坚膜设备兼容，不增加其它设备；工艺简单，实用性强；扩大了AMATP5000MXP的使用范围。
提高 7350 光刻热稳定性方法

[发明专利]光刻方法及掩模装置-CN200810213774.7有效
发明人：玛丽·K·格特伯雷特;兰博德·纳德;迈克尔·A·帕克;道格拉斯·J·沃纳 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及光刻方法及掩模装置。一种用于在器件上生成多个字符的光刻方法使用包括多个光刻掩模的掩模组，其中每个掩模包括围绕非不透明掩模字符区域的至少一个非不透明掩模字符场区域。顺序利用掩模通过掩模组使光致抗蚀剂曝光于辐射能量密度，从而生成光致抗蚀剂的至少一个字符场区域、及光致抗蚀剂的字符区域。最后，因为光致抗蚀剂的字符区域在每个掩模曝光步骤期间曝光于来自非不透明掩模字符场区域的一些光能量密度，生成字符串的总的光致抗蚀剂曝光时间小于现有技术。
光刻方法装置

[发明专利]光学邻近校正的方法-CN200710044547.1有效
发明人：刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，在该光学邻近校正的方法中，半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面，其中，包括以下步骤：首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型；再对为散焦平面的半导体平面使用用于散焦平面的光学邻近校正模型。采用本发明的光学邻近校正的方法不仅能实现半导体层上的不同区域的光学邻近校正，而且可以补偿由于拓扑效应产生的临界尺寸变化。
光学邻近校正方法

[发明专利]掩膜版、掩膜版的版图设计方法和缺陷修复方法-CN200610118814.0有效
发明人：卢子轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜版，包括对于曝光光线具有透光性的平板，所述平板上形成了对于曝光光线具有遮光性的可印刷的几何图形，所述几何图形中包括至少一个孤立图形，所述孤立图形在沿X轴和/或Y轴方向上，在缺陷检测范围内，没有其他几何图形或者只有周期性重复的几何图形，本发明的掩膜版采用了新的版图设计方法，在所述几何图形中的孤立图形的检测范围内设置了不会被印刷的附加图形，以确保在对该掩膜版进行缺陷修复时，其上各个位置的缺陷均能被定位并修复。采用本发明的掩膜版，可以降低制作掩膜版时的掩膜版报废及延迟交货风险。
掩膜版版图设计方法缺陷修复

[发明专利]一种应用反散射带的方法-CN200610027445.4有效
发明人：洪齐元;王谨恒;张斌;邓泽希 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明提供一种应用反散射带的方法，主要应用在半导体制程中基于规则的光学近似修正中。按照本发明的方法，利用散射带对半导体器件特征图案进行光学近似修正的时候，对其中的隔离线形图案和隔离沟道图案分别形成散射带并进行修正。通过这样的方法，可以很容易地进行反散射带的插入，扩大制程窗口，从而提高晶片容许测试或者良率性能。
一种应用散射方法

[发明专利]印模及制造方法、使用印模的薄膜晶体管和液晶显示器件-CN200610087175.6有效
发明人：李宝铉;蔡基成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造印模、薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的液晶显示器件的方法。该印模具有相对于基板改进的接触性能。使用该印模在基板上形成带电区域，并且涂布或者电镀充有与该带电区域的电荷相反的电荷的纳米材料以形成自组装单层(SAM)。因此，该薄膜晶体管和该液晶显示器件能够具有精确的纳米图案，由此提高该器件的性能。
印模制造方法使用薄膜晶体管液晶显示器件

[发明专利]光掩模，制造光掩模的方法以及使用其的光刻方法和系统-CN200610092512.0无效
发明人：许圣民;金熙范;李东根;全爘旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：根据本发明的光掩模根据使用光掩模所形成的图像类型的照射类型提供选择性区域优化。光掩模包括光偏振结构，其偏振入射到偏振结构的光。来自光刻曝光系统中的源的第一照射类型的光入射到光掩模。部分光入射到包括偏振结构的光掩模的区域，并且光的另一部分入射到不包括偏振结构的光掩模的另一区域。将入射到偏振结构的光的照射类型改变为第二照射类型，使得来自具有偏振结构的光掩模区域的入射到例如集成电路晶片衬底的光是第二照射类型。没有入射到偏振结构的部分光的照射类型没有改变，使得来自光掩模的该部分的入射到晶片的另一部分的光是第一类型。通过选择性地区域地控制光刻工序中的照射类型，在晶片的整个区域中优化曝光系统的分辨率。
光掩模制造方法以及使用光刻系统

[发明专利]用于轴外照明的标度掩膜板-CN96107367.5无效
发明人：裵相满 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-03-24 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：一种用于轴外照明的标度掩膜板具有不同尺寸的间距，其中辅助图形是以标度掩膜板的全部图形的衍射角相同或相近的方式在间距图形处形成，该间距图形的尺寸比最大焦点范围裕度的间距大，这样，用轴外照明是不合适的。重复设置的辅助图形是点状或突出形状的，它们的大小不足以在晶片上形成图象。因此，边界间距的尺寸与最大焦点范围裕度的图形相等或相近，所以，使对大间距图形有益的小工艺裕度与对小间距图形有益的工艺裕度一样大。因此，使半导体制造中的工艺容差均匀增大，同时使可靠性和成品率以及图形的均匀性得到充分改善。
用于照明标度掩膜板

[发明专利]阳图预涂感光版无损伤快速再生法-CN88100203.8无效
发明人：朱军 -专利权人：朱军
申请日： 1988-01-19 - 公布日： 1991-01-02 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：一种阳图PS版无损伤快速再生法，是在旧PS版上涂有95～98％的浓硫酸，擦拭掉表面的图纹后，将浮石粉施于其上，经水洗、中和封孔处理及干燥后再涂感光液。本发明的方法操作简便、成本低廉、原料易得、适用范围广；既能快速除去旧印版上的油墨及感光膜等，又不损坏印版上原有的砂目及氧化膜。
阳图预涂感光损伤快速再生

[发明专利]胶印印版的亲水支持体材料、其制备方法及应用-CN86101022.1无效
发明人：迈克尔·布伦克;里纳特·伦斯特 -专利权人：赫彻斯特股份公司
申请日： 1986-02-03 - 公布日： 1990-12-19 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明是有关铝为基材的支持体材料，其特征是带有亲水涂层，涂层是由丙烯酰胺异丁烯磷酸的聚合物，或者这种酸与丙烯酰胺的共聚物或者是带有至少二价金属阳离子的聚合物的盐所组成。所使用的亲水材料，作为制备印刷版光敏物质的支持体。
胶印支持材料制备方法应用

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