|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 24个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]单晶制造装置和单晶的制造方法-CN202110856124.X在审
-
舆公祥
-
诺维晶科股份有限公司
-
2021-07-28
-
2022-02-01
-
C30B15/08
- 提供一种不使用坩埚就能够制造大型的单晶的单晶制造装置和使用了该装置的单晶的制造方法。提供一种单晶制造装置，是从晶种向上方生长单晶的单晶制造装置，具备：隔热空间，其是与装置外的空间隔热的；感应加热用线圈，其设置在隔热空间的外侧；隔热板，其将隔热空间划分为包含用于培育单晶的晶体培育区域的第1空间和其之上的第2空间，在晶体培育区域的上方具有孔；加热体，其设置于第2空间，通过使用了感应加热用线圈的感应加热而发热，对隔热空间内进行加热；以及支撑轴，其用于从下侧支撑晶种且使晶种能在上下方向移动。
- 制造装置方法
- [发明专利]一种连续加料微下拉法装置及工艺-CN202010773356.4有效
-
付善任;张红;夏倩倩
-
上海岚玥新材料科技有限公司
-
2020-08-04
-
2021-08-20
-
C30B15/08
- 本发明公开了一种新式连续加料微下拉法装置及工艺，包括第一供料机构、第二供料机构、盖板、观察视孔和坩埚，设置第一供料机构和第二供料机构用于实现对坩埚两侧的同时供料，避免单侧供料引起的热场左右温度不对称，从而加快了原料的熔化速度，同时进一步解决了一侧供料易造成原料堆积的问题，通过盖板上沿圆周方向等距离开设有八个进料开口，从而保证原料熔体均匀的从坩埚四周流入坩埚底部，设置观察视孔用于方便操作人员对内部情况进行侧保温层内部情况进行观察，通过设计连续加料装置，合理的坩埚结构，及环形分布多进料开口，并结合科学的供料工艺，使之与传统的微下拉法相互结合，打破原有技术瓶颈，具有极好的市场规模化应用前景。
- 一种连续加料下拉装置工艺
- [发明专利]一种晶体生长方法和设备-CN201610056010.6有效
-
王彪;朱允中;林少鹏
-
中山大学
-
2016-01-26
-
2018-10-30
-
C30B15/08
- 本发明公开了一种晶体生长方法，包括S1：捕获下晶温度；S2：使坩埚温度达到步骤S1中下晶温度；S3：根据坩埚温度以及籽晶质量变化进行下晶操作；具体的，对盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度；获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度；使坩埚温度达到下晶温度；缓慢下移籽晶；当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；根据籽晶质量变化微调坩埚温度。本发明的晶体生长方法，可利用升温过程中温度随时间变化曲线获取晶体准确下晶温度；并且避免在下晶过程中由保温系统的温度梯度对籽晶造成热冲击，根据籽晶质量变化随时调整适合的温度。
- 一种晶体生长方法设备
|
