“C30B15/06”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]生产具有低氧浓度区域的带或晶片-CN202080056511.9在审
发明人：艾莉森·格林利;内森·斯托达德;杰西·S.·阿佩尔;彼得·凯勒曼;帕提夫·达戈鲁;亚历山大·马丁内斯;赛义德·皮鲁兹;布兰登·威利亚德;查尔斯·鲍恩;布赖恩·麦克穆伦;大卫·莫雷尔;孙大伟 -专利权人：尖端设备技术公司
申请日： 2020-08-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：使用面对熔体暴露面的冷初始化器形成带，使得带漂浮在熔体上。该带是单晶硅。以小角度将带从硅熔体中拉动离开熔体表面。带以与拉动相同的速度形成。在形成稳定弯液面的坩埚壁处将带与熔体分离。带具有在第一表面和相对的第二表面之间的50μm至5mm的厚度。带包括从第一表面延伸第一深度的第一区域。相对于带的主体，第一区域具有降低的氧浓度。
生产具有低氧浓度区域晶片

[发明专利]一种晶体生长设备及晶体生长方法-CN202111673957.9在审
发明人：杨建春 -专利权人：上海翌波光电科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长设备及晶体生长方法，该晶体生长设备包括机架，机架上设置有生长炉，生长炉的内部形成有用于营造晶体生长环境的加热区，生长炉上开设有出料口，机架上滑移设置有坩埚，坩埚呈长管状，且坩埚呈倾斜或水平设置，坩埚的开口朝向生长炉且与出料口插接滑移配合，且坩埚的滑移方向与自身长度方向平行，机架上设置有用于驱动坩埚滑移的驱动组件。该晶体生长方法包括以下步骤：将生长超长晶体的原料混合后倒入坩埚中；移动导料板，将坩埚移入加热区内；加热区将原料融化成液体，然后利用导料板将坩埚慢慢移出加热区，液体冷却凝固，形成晶体。本申请有助于改善超大晶体在生长过程中坩埚变形及漏液的情况。
一种晶体生长设备方法

[发明专利]在炉中将硅带暴露于气体-CN202080043349.7在审
发明人：艾莉森·格林利;杰西·S.·阿佩尔;内森·斯托达德 -专利权人：尖端设备技术公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：一种用于从熔体生产带的系统，包括用于容纳熔体的坩埚和冷块。冷块具有直接地面对熔体的暴露面的表面。使用冷块在熔体上形成带。炉可操作地连接至坩埚。带在从熔体中移出后穿过炉。炉包括至少一个喷气嘴。喷气嘴可以掺杂带、在带上形成扩散阻挡物、和/或钝化带。带的一部分穿过炉，同时使用冷块在坩埚中形成带的一部分。
中将暴露气体

[发明专利]基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法-CN202010591640.X有效
发明人：顾跃;毛世平;丁雨憧 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法，其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。本发明利用横向平移结晶法，同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点，制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。
基于横向平移结晶法制尺寸 ce nd yag 晶体方法

[发明专利]一种水平提拉硅带成型设备的入料装置及其入料方法-CN201811587901.X有效
发明人：丁建宁;孙涛;袁宁一;程广贵;朱科钤 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明涉及水平提拉硅带成型设备技术领域，具体涉及一种水平提拉硅带成型设备的入料装置及其入料方法。本发明的用于水平提拉硅带成型设备的入料装置能够根据入料要求，通过质量传感器、闭合开关、传送带速度以及运动状态的控制将定量的硅料送入炉内坩埚，并通过气体置换的方法防止空气进入炉内，由此满足硅料的连续无污染的熔化要求。
一种水平提拉硅带成型设备装置及其方法

[发明专利]一种适用于单晶硅水平生长机构的过程控制系统-CN201910117365.5有效
发明人：丁建宁;徐嘉伟;袁宁一;程广贵;朱科钤 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅材料制备技术领域，尤其涉及一种适用于单晶硅水平生长机构的过程控制系统。其包括：熔融区域温度控制模块，冷却区域控制模块，提拉籽晶模块。在所述熔融区域控制模块中，包含有4段可设置的升温模块；在所述的冷却区域控制模块中包含了2段可设置的升温模块；在所述的籽晶提拉模块中，包含有可控制的籽晶杆进退模块。利用上述过程控制系统，并配合水平提拉法生产单晶硅装备，能够实现连续生长超薄单晶硅片。
一种适用于单晶硅水平生长机构过程控制系统

[发明专利]使熔体成长为结晶片的结晶器系统及方法-CN201711069158.4有效
发明人：彼德·L·凯勒曼;布莱恩·梅克英特许;菲德梨克·M·卡尔森;大卫·莫雷尔;阿拉·莫瑞迪亚;南帝斯·德塞;孙大为;法兰克·辛克莱 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明提供一种使熔体成长为结晶片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结晶片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
使熔体成长结晶结晶器系统方法

[发明专利]一种硅片水平生长设备和方法-CN201710300122.6有效
发明人：丁建宁;袁宁一;徐嘉伟;沈达鹏;徐晓东;孙涛;王书博 -专利权人：常州大学
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明公开一种硅片水平生长设备和方法，该硅片水平生长设备包括外壳，形成腔体；坩埚，位于所述腔体中，具有熔料区、溢流口、第一溢流面和第二溢流面；入料组件，向所述熔料区加入硅原料，且加料速率可调；加热组件，包括两个可移动的加热器，以一定间距配置于所述坩埚的上下两侧；保温组件，对所述腔体的温度进行保持；气体流通组件，包括射流器、导气石墨件、石英抽气管和石英冷却管，其中，所述射流器位于所述第二溢流面上方，所述导气石墨件装配于所述坩埚的底部，所述石英冷却管嵌套在所述石英抽气管外，所述石英抽气管与所述导气石墨件相连；以及隔热挡板，位于所述第二溢流面上方，将所述加热组件和所述射流器相隔离，使所述腔体分为冷热两个温度区域。
一种硅片水平生长设备方法

[发明专利]由溶体形成晶片的装置及方法-CN201380060132.7有效
发明人：法兰克·辛克莱;彼德·L·凯勒曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：一种用以由熔体形成晶片的装置及方法，所述装置包括坩埚，用以容纳所述熔体。所述装置也可包括冷块和晶体拉动器，冷块用以在熔体的表面附近给予一低温区域，所述低温区域用以产生所述晶片的结晶前缘，晶体拉动器用以沿着所述熔体的表面的拉动方向拉动所述晶片，其中，拉动方向的垂线与所述结晶前缘形成小于90°且大于0°的角度。本申请配置的冷块能够达到相同或大于传统装置的拉动速度，而不需要通过传统装置来超出过冷却程度至熔体的表面。
浮动成长芯片装置

[发明专利]使用气体喷嘴从熔化物表面移离板材-CN201180031762.2有效
发明人：彼德·L·凯勒曼;葛列格里·D·斯罗森;孙大为 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种板材制造装置包括设置为可容纳一种材料的熔化物的容器。冷却板紧邻熔化物安置且设置为可在熔化物上形成所述材料的板材。第一气体喷嘴设置为可将气体导向容器边缘。水平移动位于熔化物表面上的材料板材且自熔化物移离板材。第一气体喷嘴可导向弯液面且可稳定所述弯液面或提高弯液面内的局部压力。
使用气体喷嘴熔化表面板材

[发明专利]用于生产进料材料的连续带状物的方法和设备-CN201210176999.6无效
发明人：罗杰·F·克拉克 -专利权人： AMG艾迪卡斯特太阳能公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：提供了用于生产进料材料的连续带状物的方法和设备。该设备包括：用于熔化进料材料的熔体腔室，其具有出口；安置为从熔体腔室的出口接纳熔化的进料材料的生长托盘；和位于熔体腔室的出口下游的除热装置，该除热装置与生长托盘中的熔化的进料材料隔开但是与该熔化的进料材料热连通，除热装置包括可调节装置，该可调节装置适于调节从生长托盘中的熔化的进料材料中辐射的热量。所述方法包括：在熔体腔室中熔化进料材料；使熔化的进料材料从熔体腔室流入生长托盘中并且允许其在生长托盘中形成水平的浅熔体池；通过从熔体池向上经过烟囱状物的热辐射而允许从熔体池的热损失；安置与熔体池接触的模板；以及从熔体池拉离模板由此生产带状物。
用于生产进料材料连续带状方法设备

[发明专利]连续浇铸单晶硅带的设备和方法-CN201010165375.5无效
发明人：李涛;潘庆乐;克诺佩尔·德鲁 -专利权人：斯必克公司
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：一种用于形成单晶硅带的设备。该设备包括硅熔融物在其中形成的坩锅。熔融物被允许大致垂直地流出坩锅并在固化之前与硅种晶接触。在固化为带之后，带的进一步冷却在受控条件下发生，而带最终被切割。此外，提供一种用于形成单晶硅带的使用前述设备的方法。
连续浇铸单晶硅设备方法

[发明专利]用于生产晶体硅基板的方法和设备-CN200780036545.6无效
发明人：罗杰·F·克拉克 -专利权人： BP北美公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：一种用于从液体进料材料例如硅的熔体池连续地生产晶体带状物的设备和方法。使硅熔化并且流入生长托盘中以提供液体硅的熔体池。通过允许热从熔体池向上流经烟囱状物而被动地除热。在经过烟囱状物发生热损失时，同时对生长托盘加热以保持硅处于它的液相。当经过烟囱状物损失热时，模板被设置成与熔体池接触，从而硅开始“凝固”(即固化)并且附着到模板上。然后从熔体池提拉模板，由此生产晶体硅的连续带状物。
用于生产晶体硅基板方法设备

[发明专利]一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法-CN200710070401.4无效
发明人：杨德仁;陈加和;马向阳;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：本发明公开了具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法，硅片的氧浓度为5～15×10¹⁷cm^－3，锗浓度为1×10¹³～1×10²⁰cm^－3，洁净区宽度为10～100μm，体微缺陷密度为1×10⁵～1×10¹⁰cm^－3。经过基于快速热处理过程的内吸杂工艺处理制备，由于直拉硅片中的微量锗原子可以在硅片中与快速热处理过程中注入的空位形成一定的复合体促进氧沉淀生成，硅片中在近表面形成具有一定宽度无缺陷的洁净区，并使得体内的体微缺陷(氧沉淀和二次缺陷)密度显著提高，因此，具有较高的内吸杂能力，对有害金属具有更好的吸杂效果，该硅片应用于制造集成电路，可以提高集成电路的成品率。
一种具有内吸杂功能硅片及其制备方法

[其他]由水平拉带工艺制造的硅带切割-CN87103690无效
发明人：理查德·福尔肯伯格;格哈特·霍伊勒;约瑟夫·格拉布梅尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1987-06-06 - 公布日： 1988-01-13 - 主分类号： C30B15/06 文献下载
摘要：从由水平拉带工艺制造的硅带(4)切割盘状硅片，其中用一条石墨纤维编织带(1)作要结晶的硅的载体，用位于熔体槽(3)上方和下面的，并上下对准的热源(7)使熔化的液体硅(2)结晶，用下属方法实现切割以一定的预先给出的，与用于太阳能电池的硅片大小相应的间隔(2A)通过一起运行的(V2＝V1)屏蔽体(6)降低熔体表面(2)上方的辐射损失(5)，使得限定的区域内不发生固化，由此在硅带(4)中形成一条切割条(11)。该方法能够实现太阳能电池用硅片的连续生产。
水平工艺制造切割

1
共 15 条