[发明专利]带覆盖层的铁电装置及其制造方法无效
| 申请号： | 99816432.1 | 申请日： | 1999-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1338113A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | 林慎一郎;大槻建男;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 美国克*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铁电装置(100、200)包括一个铁电层(112)和一个电极(116、110)。铁电材料是由一种钙钛矿或一种分层超晶格材料组成。在所述铁电层与所述电极之间沉积一种超晶格发生器金属氧化物作为覆盖层(114、204)以提高铁电层的剩余极化容量。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖层 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电装置(100、200)，包括一个基片(102)，支撑一个从一组由钙钛矿和自排序分层超晶格材料组成的成分中选出的薄膜铁电层(112)，一个电极(110、116)，所述装置的特征在于在所述薄膜铁电层(112)和所述电极(110、116)之间存在一个至少3nm厚的覆盖层(114，204)，所述覆盖层包括一种加入了超晶格发生器金属的非铁电性材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
