[发明专利]多晶硅电阻器及其制造方法

摘要

一种电阻器，它具有由多晶硅组成的电阻器本体(11)以及排列在电阻器本体(11)上和/或中的电接触区(23，15)，使电阻器部分(13)被制作在接触区之间，它为电阻器提供电阻值。用例如硼，对电阻器本体中的材料进行掺杂，以确定其电阻值。为了使电阻器有良好的长期稳定性，用一个或多个由过渡金属制作的氧化物基阻挡层(28，31)来保护电阻器部分(13)。这些阻挡层能够防止诸如氢之类的可移动原子到达多晶硅中的不饱和键。这种可移动原子能够例如存在于位于电阻器所在的集成电路最外围的钝化层(27)中。可以由具有30％的钛和70％的钨的用过氧化氢氧化的层来制作阻挡层。

主权项

1.一种电阻器，它包含由多晶硅、多晶锗、或多晶硅-锗组成的电阻器本体以及排列在电阻器本体上和/或中的电接触区，电阻器本体包括接触区之间的电阻器部分，它为电阻器提供电阻值，用掺杂剂对电阻器部分中的材料进行掺杂，以获得所希望的电阻器电阻值，其特征是一个或多个包含过渡金属原子并被安置在电阻器部分的氧化物基阻挡层。