[发明专利]存储单元装置有效
| 申请号： | 99813121.0 | 申请日： | 1999-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1149680C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | T·施勒泽尔;W·克劳特施奈德;F·霍夫曼;T·－P·哈尼德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 存储单元装置的存储单元各自具有一只选择晶体管(AT)、一只存储晶体管(ST)和一只铁电电容器。选择晶体管(AT)和存储晶体管串联。铁电电容器连接在存储晶体管(ST)的控制极(GS)和选择晶体管(AT)的第一连接端(AA1)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元装置，-其中，集成在半导体衬底(1)内有许多存储单元，它们各自具有一只选择晶体管(AT)、一只存储晶体管(ST)和一只铁电电容器(FK)，-其中，所述选择晶体管(AT)和所述存储晶体管(ST)经所述选择晶体管(AT)的第一连接端(AA1)串联。-其中，所述铁电电容器(FK)连接在所述选择晶体管(AT)的第一连接端(AA1)和所述存储晶体管(ST)的控制板(GS)之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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