[发明专利]射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件无效
| 申请号： | 99812144.4 | 申请日： | 1999-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1156909C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | A·利特温;T·约翰松 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60;H01L23/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇;李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及到用来互连射频功率SiC场效应晶体管的方法和器件。为了改善寄生源电感，利用了晶体管的小尺寸，其中键合焊点被置于管芯的二个侧面上，使大多数源键合引线(6)垂直于栅和漏键合引线(7，8)走线。多个键合引线可以被连接到源键合焊点，降低了源电感。由于正交引线安排造成源/栅之间和源/漏之间互感降低，故这种安排还带来额外的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 功率 碳化硅 场效应 晶体管 互连 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用焊点上的键合引线来互连包含管芯的射频功率SiC场效应晶体管的方法，其特征是在管芯的每一不同的侧面上安置至少一个键合焊点，使大多数源键合引线被垂直于栅和漏键合引线安置。
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