[发明专利]磁致电阻元件及其在存储单元装置中作为存储元件的应用

摘要

在磁致电阻元件内，在第1铁磁层元件(1)和第2铁磁层元件(2)之间安排了非磁性层元件(3)。非磁性层元件(3)由一种材料组成，它在制造磁致电阻元件时必需的温度范围内具有扩散壁垒作用，而本身不会向相邻的铁磁层元件内扩散。磁致电阻元件既适用作传感器元件也适用作存储单元装置的存储元件。

主权项

1.一种磁致电阻元件，具有第一铁磁层元件(1)、非磁性层元件(3)和第二铁磁层元件(2)，其中，所述非磁性层元件(3)安排在所述第一铁磁层元件(1)和第二铁磁层元件(2)之间，其中，所述非磁性层元件(3)包含一种材料，它在温度范围20～450℃之间具有扩散壁垒作用，而本身不扩散到铁磁层元件(1、2)内，元件在半导体工艺技术的框架内是可以制造的，其特征在于，所述非磁性层元件(3)至少包含元素Ti，W，Mo之一，这些元素的氮化物，元素Ti，Ta，W，Mo的硅化物，这些元素的硼化物或由这些元素中至少两种元素构成的合金。