[发明专利]具有改进的内部收气的热退火晶片

摘要

公开一种用于热处理单晶硅片以溶解聚集的空位缺陷与在一个后继的热处理步骤中影响晶片内氧的淀析行为的处理。此晶片有一个前表面,一个后表面,与一个在前表面与后表面之间的中心平面。在此处理中,晶片经受一个热退火以溶解存在于一个从晶片的前表面向中心平面延伸的薄层内聚集的空位缺陷。然后热处理经退火的晶片以形成晶格空位,这些晶格空位形成在晶片的主体层内。使经热处理的晶片从所述热处理温度冷却,冷却的速率使部分而不是全部晶格空位能扩散至前表面以产生具有一个空位浓度分布的晶片,其中峰值密度在中心平面上或其附近且浓度通常朝晶片的前表面方向减小。

主权项

1．一种单晶硅片有两个基本平行的主表面，其中一个是晶片的前表面而另一个是晶片的后表面，一个在前表面与后表面之间的中心平面，一个连接前表面与后表面的周围边缘，一个从前表面延伸至从前表面向中心平面测量的距离Ds的薄层，一个至少部分地与薄层共同延伸并包括前表面与一个从前表面向中心平面测量距离D1之间晶片区域的表面层，D1至少约10微米，以及一个包括中心平面与表面层之间晶片区域的主体层，该晶片的特征在于：晶片的薄层基本上没有聚集的空位缺陷；与晶片具有不均匀分布的晶格空位，主体层内的空位浓度大于表面层内的空位浓度，空位浓度分布为峰值密度在中心平面上或其附近且浓度通常从峰值密度位置朝晶片前表面方向减小。