[发明专利]涂覆和退火大面积玻璃基底的方法

摘要

通过预热玻璃基底、在第一温度下在该基底上沉积非晶硅前体层、在热处理室内于显著高于第一温度的第二温度下退火该基底，以显著地降低前体层中的氢含量，从而在玻璃基底上形成薄膜层。该预热和退火步骤可在相同热处理室内进行。然后，通过激光退火将前体层转变为多晶硅层。

主权项

1.在基底上形成多晶硅层的方法，包括如下顺序的步骤：在基底上沉积含氢的非晶硅层，其中所述沉积在第一温度下进行，所述第一温度足够高从而使沉积的非晶硅层的氢含量少于或等于15原子％；将所述基底加热至第二温度，所述第二温度足够高从而降低所述非晶硅层中的氢含量；和将所述非晶硅层激光退火。