[发明专利]高频用半导体封装体无效
| 申请号： | 99127064.9 | 申请日： | 1999-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1133212C | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 宫胁胜己 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/50;H01L23/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 可得到这样一种高频用半导体封装体，它能以非常短的距离来连接半导体元件正下方的接地区域与在封装体的接地面上被键合了引线的区域，能将成为高频特性恶化的原因的电感分量抑制得非常低。在半导体元件2的外侧以虚线状配置狭缝10，使得接合材料6的流出不会导致引线键合的断开。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种高频用半导体封装体，其中，利用接地用引线(4)来连接半导体元件(2)上的接地用电极(2a)与封装体(1)的接地面(5)，其特征在于：在上述封装体(1)上以虚线状设置了去掉电镀层的狭缝状的区域(10)，通过将上述虚线状设置的狭缝状的区域(10)设置在半导体元件(2)的两侧，将从半导体元件(2)上的接地用电极(2a)与连接封装体(1)的接地面(5)的接地用引线(4)，连接到上述虚线状设置的狭缝状的区域(10)的与上述半导体元件(2)相反的外侧；上述半导体元件(2)的安装面成为接地面(5)。
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