[发明专利]聚炳烯核径迹膜的制造方法无效
| 申请号： | 99126358.8 | 申请日： | 1999-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1254615A | 公开（公告）日： | 2000-05-31 |
| 发明（设计）人： | 何向明;严玉顺;张泉荣;张伟;樊诗国;王国欣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B01D67/00 | 分类号： | B01D67/00;B01D71/26 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚丙烯核径迹膜的制造方法,首先选用透明聚丙烯塑料薄膜为原材料,利用核反应堆的裂变碎片,辐照塑料薄膜,或利用高能离子加速器产生的重离子辐照塑料薄膜,再利用紫外线照射上述聚丙烯塑料薄膜,最后用化学试剂对塑料薄膜进行蚀刻,洗涤晾干,即为本发明的聚丙烯核径迹膜。本发明的方法具有良好的经济效益,制作聚丙烯核径迹膜的设备相对简单,易于实现规模生产,成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 聚炳烯核 径迹 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种聚丙烯核径迹膜的制造方法，其特征在于，该方法包括下列各步骤：(1)选用厚度为12-25微米的透明聚丙烯塑料薄膜为原材料，利用核反应堆产生的中子轰击铀-235使其放出裂变碎片，辐照塑料薄膜，反应堆功率为100-1000千瓦，辐照时间为10-300秒，或者，利用高能离子加速器产生的重离子辐照塑料薄膜，辐照时间为5-200秒；(2)利用紫外线照射上述聚丙烯塑料薄膜，紫外线灯功率为50-1000瓦，灯与薄膜的距离为10-30cm，照射时间为5-60秒；(3)然后用化学试剂对塑料薄膜进行蚀刻，蚀刻剂为K2Cr2O7或KMnO4，将蚀刻剂固体溶于浓度为6-16N的H2SO4溶液，使K2Cr2O7或KMnO4浓度为10-100克每升，蚀刻时间为5-20分钟，蚀刻温度为50-90℃，根据所需核径迹膜的孔径，控制蚀刻时间：(4)最后洗涤晾干，形成孔径为0.1-10微米的核径迹膜，即为本发明的聚丙烯核径迹膜。
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