[发明专利]经过改善的腔式球状栅格阵列电路封装无效

专利信息
申请号: 99125350.7 申请日: 1999-12-17
公开(公告)号: CN1123925C 公开(公告)日: 2003-10-08
发明(设计)人: E·P·迪布勒;E·A·约翰逊;小R·A·菲利普斯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯,陈景峻
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种经过改善的结合系统,其中,将金属散热器接合到半导体芯片上。使用一种双粘接剂系统,其中,第1粘接剂显示出高的结合强度,第2粘接剂显示出高的热导率。
搜索关键词: 经过 改善 球状 栅格 阵列 电路 封装
【主权项】:
1.一种集成电路封装,包括:在其上具有芯片连接表面的半导体芯片、具有散热器连接表面的金属散热器和粘接所述芯片与所述散热器的粘接剂接合体,其特征在于,所述接合体包括:第1粘接剂,粘附到所述芯片连接表面上的第1部分和所述散热器连接表面上的对应部分;以及第2粘接剂,粘附到所述芯片连接表面上的第2部分和所述散热器连接表面上的对应部分,其中,所述第2粘接剂显示出比所述第1粘接剂高的热导率和比所述第1粘接剂低的结合强度。
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