[发明专利]形成具有多晶硅－硅化钛结构的栅极的方法无效
| 申请号： | 99124899.6 | 申请日： | 1999-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1161822C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张世亿;金泰均;吕寅硕;李相圭 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在栅极的再氧化工序中防止栅极异常氧化，同时，可以减小栅极电阻的多晶硅-硅化物结构的栅极形成方法。包括依次形成栅极氧化膜、多晶硅膜和硅化钛膜；在硅化钛膜上，按照栅极的形状，形成屏蔽绝缘膜。接着，对屏蔽绝缘膜的屏蔽层进行腐蚀，对硅化钛膜和多晶硅膜进行腐蚀，形成栅极。又利用再氧化工序，对基板进行氧化，在上述栅极的侧面和上述基板表面上，形成厚度均匀的氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 多晶 硅化钛 结构 栅极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有多晶硅-硅化物结构的栅极的方法，该方法包括下列步骤：在半导体基底上，依次形成栅极氧化膜，多晶硅膜和硅化钛膜；在上述TiSi2膜上，按照栅极的形状，形成屏蔽绝缘膜；以上述屏蔽绝缘膜作为蚀刻掩模，对上述TiSi2膜和多晶硅膜进行腐蚀，形成栅极；和利用再氧化工序，对上述基板进行氧化，在上述栅极的侧面和上述基板表面上，形成厚度均匀的氧化膜；其特征为，上述再氧化工序，是在700至750℃的温度下，利用在干燥气氛下进行氧化的方法进行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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