[发明专利]形成介质薄膜图案和形成分层图案的方法无效
| 申请号： | 99122837.5 | 申请日： | 1999-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1255738A | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | 越户义弘;藤林桂;丰田祐二;大川忠行;高桥亮一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种形成介质薄膜图案的方法,包含步骤通过汽相淀积方法,在其上具有抗蚀图案的基片上淀积介质薄膜,其中将CeO2,Sm2O3,Dy2O3,Y2O3,TiO2,Al2O3和MgO中的至少一种用作介质薄膜的材料;以及去掉抗蚀图案,由此使介质薄膜形成图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 介质 薄膜 图案 分层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成介质薄膜的方法，其特征在于包含步骤：通过汽相淀积的方法，在具有抗蚀图案的基片上形成介质薄膜，其中CeO2，Sm2O3，Dy2O3，Y2O3，TiO2，Al2O3和MgO中的至少一种用作介质薄膜的材料；以及去掉抗蚀图案，由此在基片上形成构成图案的介质薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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