[发明专利]半导体衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 99122409.4 | 申请日： | 1999-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1127120C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 佐藤信彦 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体衬底，该衬底包括在多孔层上形成的晶体缺陷较少的非多孔单晶层，并且提供制造该衬底的方法。该制造半导体衬底的方法包括：提供包含多孔硅层的衬底的步骤，热处理多孔硅层的热处理步骤，以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层的生长步骤，其中，在包含氢气的还原气氛或惰性气体的气氛或超高真空气氛中进行热处理的步骤，使得因热处理而腐蚀的硅厚度不大于2nm，且使由热处理后的雾值与热处理前的雾值的比值所定义的热处理前后多孔硅层表面的雾值变化率r满足1≤r≤3.5的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体衬底的方法，包括：提供包含多孔硅层的衬底的步骤，热处理多孔硅层的热处理步骤，以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层的生长步骤，其中，在包含氢气的还原气氛或惰性气体的气氛或超高真空气氛中进行热处理的步骤，使得因热处理而腐蚀的硅厚度不大于2nm，且使由热处理后的雾值与热处理前的雾值的比值所定义的热处理前后多孔硅层表面的雾值变化率r满足1≤r≤3.5的关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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