[发明专利]一种晶体生长方法

摘要

本发明涉及一种使晶体、料棒或加热元件产生宏观位移操作的晶体生长方法。本发明利用金属、合金受热膨胀，产生一种非机械、精密平滑的宏观位移，晶体、料棒或加热元件的位移随时间的变化可达到原子水平的平滑极限，并配合常规晶体生长方法，从而生长出高质量的晶体，为晶体机理研究提供了新的方法。本发明简化了设备，降低了造价。

主权项

1、一种晶体生长方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)根据公式L＝Lo+LoαΔT和具体晶体生长所需的位移量选择膨胀系数为α，长度为Lo的热膨胀棒；(2)把起始的粉料装入平底坩埚，置平底坩埚于电炉之中，并调节使之处于合适位置；(3)根据所选热膨胀棒的熔点确定温度范围ΔT，其上限低于熔点；(4)以一定速率升温加热使坩埚中粉料充分熔化并恒温，然后缓慢降低熔体温度至生长温度或略高于生长温度；(5)将杠杆装配在热膨胀棒上；(6)将热膨胀棒置于电炉中，调节其位置使籽晶杆上之籽晶与熔体表面接触；(7)根据拉速要求设置控温程序的升温速率并接通电机的电源使之带动籽晶杆转动；(8)观察晶体生长外形，细调熔体温度；(9)当晶体生长结束时，调节籽晶杆高度使已长出的晶体脱离熔体表面，并使晶体和熔体缓慢降温至室温，取出已长出的晶体。