[发明专利]电路装置及其制造方法无效
| 申请号: | 99121746.2 | 申请日: | 1999-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN1139127C | 公开(公告)日: | 2004-02-18 |
| 发明(设计)人: | 冈本仁志 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/58;H01L21/70 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶恺东 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 为了防止因浪涌电流的流入造成的电路击穿,利用在半导体电路与连接端子的布线上插入电阻元件的结构,确实防止因电阻元件与电路基片的间隙的绝缘膜的高压电位差造成的击穿。利用通过绝缘膜205使电阻元件211与扩散层212对置的结构,通过用第三布线210将连接电阻元件211和连接端子207的第二布线209与扩散层212连接,使从连接端子207流入电阻元件211一端的高电压浪涌电流也同时流入扩散层212的一端,在扩散层212和电阻元件211上不产生高压电位差。 | ||
| 搜索关键词: | 电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电路装置,包括:第一导电型的电路基片;形成在该电路基片的表面上的MOSFET;形成在所述电路基片的表面上使该MOSFET与周围隔离的绝缘膜;形成在该绝缘膜的表面上与所述MOSFET背离的位置上的连接端子;形成在该连接端子和所述MOSFET的中间位置的所述绝缘膜表面上的电阻元件;形成在所述绝缘膜表面上连接所述电阻元件的一端与所述MOSFET的第一布线;形成在所述绝缘膜表面上连接所述电阻元件的另一端与所述连接端子的第二布线;通过所述绝缘膜形成在面对所述电阻元件的所述电路基片的表面下的第二导电型的扩散层;和将该扩散层与所述第二布线连接的第三布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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