[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 99120486.7 | 申请日： | 1999-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1258103A | 公开（公告）日： | 2000-06-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了实现更高可靠性TFT和高可靠性半导体器件,本发明的NTFT在半导体层中具有沟道形成区、n型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间,并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增高。而且,第三杂质区是不与栅极交叠的低浓度杂质区。另外,相同衬底上的多个NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长度,这取决于工作电压的差别。即,当第二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电压时,在第二TFT上的第二杂质区的长度比在第一TFT上的长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种包括在衬底上的第一和第二TFTs的半导体器件，所述第一和所述第二TFTs各包括：具有沟道形成区、第一杂质区、第二杂质区、以及形成在所述第一杂质区和所述第二杂质区之间的第三杂质区的半导体层；和邻近所述半导体层并有栅绝缘膜置于其间的栅极，其中所述第二杂质区位于所述半导体层中，以便与所述栅极交叠且所述栅绝缘膜置于其间，其中包含在所述第二杂质区中的杂质元素的浓度呈现随着与所述第三杂质区的距离减小而增加的浓度梯度，以及其中形成在所述第一TFT中的第二杂质区的长度与形成在所述第二TFT中的第二杂质区的长度不同。
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