[发明专利]掩模式只读存储器的程序化方法无效
| 申请号： | 99118196.4 | 申请日： | 1999-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1129079C | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 汪炳颖;张瑞钦;杨俊仪;林春荣;王明宗 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/00 | 分类号： | G06F17/00;H01L21/027;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种有较大制造窗口的掩模式只读式存储器的程序化方法，其特征在于将原本用于离子注入程序化方法的程序掩模A，利用逻辑运算的原理一分为两个图案极为平均的C掩模及D掩模，而后以此C掩模及D掩模的与来取代原来的A掩模，由于C掩模及D掩模的与等于原程序掩模A，因此程序化后所得的结果，仍然等同于单独于使用A掩模，而由于C掩模及D掩模本身图案的平均性，因此对于调整曝光时的参数而言，便能有较单独使用A掩模时更大的制造窗口，且增加制造上的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 模式 只读存储器 程序化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增大制造窗口的方法，该方法包含如下步骤：(1)取一A掩模，具有岛形或洞形图形的掩膜；(2)将该A掩模的图形转为一程序码A；(3)设一转译码B，该转译码B为“0”，“1”交错的程序码；(4)将该程序码A与该转译码B，互取或，而得到一程序码C；(5)将该程序码A与该转译码B的反转码B′，互取或，而得到程序码D；(6)依该程序码C制作出一C掩模；(7)依该程序码D制作出一D掩模；(8)利用该C掩模和该D掩模的与，得到与单独使用该A掩模相同的晶片上的光刻胶层的曝光结果；由此，利用上述步骤，得以得到两组图案平均的该C掩模及该D掩模，以增大制造窗口。
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