[发明专利]切割用胶带及切割半导体晶片的方法无效
| 申请号: | 99117521.2 | 申请日: | 1999-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN1138299C | 公开(公告)日: | 2004-02-11 |
| 发明(设计)人: | 妹尾秀男;近藤健 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种包含基体片材和在该基体片材的一个表面上形成的压敏粘合剂层的切割用胶带,其中基体片材包括直接与压敏粘合剂层相接触的上层,与上层邻接的中层以及与中层邻接的下层,并且上层的抗延伸性(A)、中层的抗延伸性(B)和下层的抗延伸性(C)满足式(I)B<A≤C(I)。抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。本发明切割用胶带能均匀和充分地扩大晶片切割缝而不受压敏粘合剂弹性模量的影响,且切割缝极少会出现破裂现象。 | ||
| 搜索关键词: | 切割 胶带 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】:
1.一种切割用胶带,该胶带包含基体片材和在所述基体片材的一个表面上形成的压敏粘合胶层,其中所述基体片材包括直接与所述压敏粘合剂层接触的上层,与所述上层相邻接的中层以及与所述中层邻接的下层;并且所述上层的抗延伸性(A)、所述中层的抗延伸性(B)和所述下层的抗延伸性(C)满足式(I): B<A≤C (I)所述抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99117521.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阴极射线管
- 下一篇:氮氧化物栅介质及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





