[发明专利]切割用胶带及切割半导体晶片的方法无效

专利信息
申请号: 99117521.2 申请日: 1999-08-10
公开(公告)号: CN1138299C 公开(公告)日: 2004-02-11
发明(设计)人: 妹尾秀男;近藤健 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 任宗华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种包含基体片材和在该基体片材的一个表面上形成的压敏粘合剂层的切割用胶带,其中基体片材包括直接与压敏粘合剂层相接触的上层,与上层邻接的中层以及与中层邻接的下层,并且上层的抗延伸性(A)、中层的抗延伸性(B)和下层的抗延伸性(C)满足式(I)B<A≤C(I)。抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。本发明切割用胶带能均匀和充分地扩大晶片切割缝而不受压敏粘合剂弹性模量的影响,且切割缝极少会出现破裂现象。
搜索关键词: 切割 胶带 半导体 晶片 方法
【主权项】:
1.一种切割用胶带,该胶带包含基体片材和在所述基体片材的一个表面上形成的压敏粘合胶层,其中所述基体片材包括直接与所述压敏粘合剂层接触的上层,与所述上层相邻接的中层以及与所述中层邻接的下层;并且所述上层的抗延伸性(A)、所述中层的抗延伸性(B)和所述下层的抗延伸性(C)满足式(I): B<A≤C (I)所述抗延伸性是弹性模量与层厚度的乘积。
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