[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

一种制造半导体元件(6)的方法，所述元件包括处于相对较厚的原料晶片(1)上的一个阴极(3)和一个阳极(5)，作为第一步，先在阳极一侧制出一个截止区(21)。然后对阴极一侧进行处理，减小晶片(1)上的与阴极(3)相对的一侧的厚度，并且在下一个步骤中在该与阴极相对的一侧制出阳极(5)。所得到的半导体元件相对较薄，其制造成本低，而且无需外延层。

主权项

1.一种制造半导体元件(HL)的方法，所述元件具有处于晶片(1)上的一个阴极(3’)和一个阳极(5)，其中，a)在所述阴极一侧对所述晶片(1)进行处理，使之带有一个阴极结构(3)、一个阴极金属层(4)和一个控制电极(7)；b)然后减小所述晶片(1)上的与阴极(3’)相对的一侧的厚度；并且c)在下一个步骤中在所述与阴极相对的一侧制出一个阳极(5)，其特征在于，在进行所述阴极一侧的处理之前通过从与所述与阴极(3’)相对的一侧对晶片(1)进行掺杂而制出一个截止区(21)，掺杂分布(20)被选择为使得在所述晶片的厚度从与所述阴极相对的一侧开始减小后得以保持所述掺杂分布的一个终端区，所述终端区构成所述截止区(21)。