[发明专利]薄膜电致发光器件的大平面制备方法无效
| 申请号： | 99115802.4 | 申请日： | 1999-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1077760C | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 袁战恒;乔伟杰;武明堂 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种电致发光显示器制备工艺领域的薄膜电致发光器件的大平面制备方法，步骤是首先向铝中加入发光所需元素在真空炉中进行热处理，然后把铝合金轧成箔材，然后进入刨光处理，最后进行阳极氧化，本方法简单可大平板化，由于层间无过渡层，所以寿命较大。$#! | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电致发光 器件 平面 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜电致发光器件的大平面制备方法，其特征在于：本发明方法的步骤为：首先向铝中掺入发光所需要的元素，然后在真空度为10-3～10-5，温度为600～650℃的真空炉中进行热处理进行匀化；再利用轧箔机把匀化后的铝合金轧成厚10μm～100μm的箔材，然后将箔材放入电流为10～200mA/cm2的浓度为1～8％H2SO3溶液中，刨光1～8分钟；经刨光的样品放入1～8％的己二酸铵溶液中，用稳压稳流电源在200～300V，电流密度为10mA～30mA/cm2的阳极化槽中进行阳极氧化30～40分钟；再在温度为430℃～540℃氧化气氛炉中，氧化处理30分钟，两边形成电极。
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