[发明专利]记录装置基板用结晶化玻璃及制造方法无效
| 申请号: | 99114878.9 | 申请日: | 1999-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN1243106A | 公开(公告)日: | 2000-02-02 |
| 发明(设计)人: | 彭波 | 申请(专利权)人: | 彭波 |
| 主分类号: | C03C10/14 | 分类号: | C03C10/14;C03B32/02 |
| 代理公司: | 重庆大学专利事务所 | 代理人: | 张荣清 |
| 地址: | 400039 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | 一种记录装置基板用结晶化玻璃及制造方法,该玻璃是在现有的微晶玻璃原料基础上加入卤化物、过渡金属元素氧化物、稀土金属元素氧化物,应用现有玻璃制造方法,经激光网纹加工而成。本发明能有效地降低该玻璃的熔制温度,熔制容易,气泡条纹易消除,满足高密度记忆要求,不污染记忆膜、机械强度、化学稳定性良好,该玻璃的微晶结构均质、致密、微细、无异方性及缺陷,制造工艺简单,成本低,具有良好的激光网便加工性,该玻璃不仅可作各种记忆装置的基板,还可作装饰面板。本发明能用于各种高温熔制玻璃温度的降低。 | ||
| 搜索关键词: | 记录 装置 基板用 结晶 玻璃 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种记录装置基板用结晶化玻璃,其特征在于在现有微晶玻璃原料基础上加入氯化物0.05-10%,氟化物0.05-4%,另加过渡金属元素氧化物0.3-10%,稀土元素氧化物0.3-10%;其中:氯化物在其重量百分比范围,可为碱金属、碱土金属阳离子和二价金属离子的一种或多种的氯化物;氟化物在其重量百分比范围,可为碱金属、碱土金属阳离子和二价金属离子的一种或多种的氟化物;过渡金属元素氧化物在其重量百分比范围,可为其一种或多种按任意比率同时引入;稀土金属元素氧化物在其重量百分比范围,可为其一种或多种按任意比率同时引入。
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