[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种具有利用铁电薄膜的电容器的可靠性高的半导体器件及其制造方法,在半导体衬底1上形成存取晶体管2、位线6和第一层间绝缘薄膜4后,在第一层间绝缘薄膜4的指定区域处形成的接触孔内设置插头8使存取晶体管2与铁电电容器9电气连接。然后依次形成底部电极10、铁电薄膜11和第一顶部电极14,并加工成所需的形状。在整个晶片表面上形成绝缘薄膜16并各向异性蚀刻形成侧壁16S。最后形成并加工第二顶部电极17从而完成铁电电容器9。

主权项

1.一种具有电容元件的半导体器件，该电容元件包括顶部电极、绝缘薄膜和底部电极，其特征在于所述半导体器件包括：位于所述绝缘薄膜和所述顶部电极之间的所述绝缘薄膜的钝化薄膜；以及至少在所述绝缘薄膜和所述绝缘薄膜的所述钝化薄膜的侧面形成的侧壁。