[发明专利]具有极低吸放气率的极高真空微电离规无效

专利信息
申请号: 99109355.0 申请日: 1999-06-25
公开(公告)号: CN1112580C 公开(公告)日: 2003-06-25
发明(设计)人: 陈丕瑾;齐京 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01L21/34 分类号: G01L21/34
代理公司: 北京清亦华专利事务所 代理人: 罗文群
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种具有极低吸放气率的极高真空微电离规,包括玻璃外壳、电子发射体、阳极、离子收集极和偏置电极;电子发射体和离子收集极相对阳极等距、同轴安装于玻璃外壳内;偏置电极为玻璃外壳内的金膜,阳极为圆环通过支撑引线从玻璃外壳一侧的支脚引出;离子收集极为一金属丝。本发明在量测的压强范围灵敏度高,采用冷阴极场致发射电子源,规的总功率降低到0.1瓦左右。
搜索关键词: 具有 极低吸 放气 极高 真空 电离
【主权项】:
1、一种具有极低吸放气率的极高真空微电离规,其特征在于,该电离规包括玻璃外壳、电子发射体、阳极、离子收集极和偏置电极;所述的玻璃外壳的一端与玻璃芯柱熔封,玻璃外壳的侧壁与待测系统或容器相接;所述的电子发射体和离子收集极相对阳极等距、同轴安装于玻璃外壳内;所述的偏置电极为玻璃外壳内的金膜,金膜电极引线伸出玻璃外壳;所述的电子发射体通过两电极引线支撑杆固定于玻璃芯柱上;所述的阳极为圆环通过支撑引线从玻璃外壳一侧的支脚引出;所述的离子收集极为一金属丝,安置于管轴上,其一端从玻璃外壳引出。
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