[发明专利]能有效进行氢钝化的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99109234.1 | 申请日： | 1999-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1127125C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 中岛龙史 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包含的步骤有：在硅基片上热生长由氧化硅构成的第一绝缘层(13)；在第一绝缘层上形成栅电极(14)；在栅电极上形成第二绝缘层(16)；在第二绝缘层上形成电容器下电极(21)；在电容器下电极上形成电容器介电层(22)；在电容器介电层上形成一电容器上电极(23)；在电容器上电极上形成第三绝缘层(24)；在第三绝缘层形成之后，以第一温度进行氢钝化；在氢钝化完成之后，在第三绝缘层上形成第一金属布线层(31)；以比第一温度低的第二温度，在第一金属布线层上形成第四绝缘层(32)；在第四绝缘层上形成第二金属布线层(41)；且以比第一温度低的第三温度，在第二金属布线层上形成钝化层(42)。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 进行 钝化 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其中包含的步骤有：在一硅基片上热生长由氧化硅构成的第一绝缘层(13)；在所述的第一绝缘层上形成一栅电极(14)；在所述的栅电极上形成一第二绝缘层(16)；在所述的第二绝缘层上形成一电容器下电极(21)；在所述的电容器下电极上形成一电容器介电层(22)；在所述的电容器介电层上形成一电容器上电极(23)；在所述的电容器上电极上形成一第三绝缘层(24)；在所述的第三绝缘层形成之后，以一第一温度进行氢钝化；在所述的氢钝化完成之后，在所述的第三绝缘层上形成一第一金属布线层(31)；以比所述的第一温度低的第二温度，在所述的第一金属布线层上形成一第四绝缘层(32)；在所述的第四绝缘层上形成一第二金属布线层(41)；且以比所述的第一温度低的一第三温度，在所述的第二金属布线层上形成一钝化层(42)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
