[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 99107444.0 | 申请日： | 1999-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1158713C | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 大园胜博 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法。硼离子被注入到场氧化物薄膜与P型阱的边缘，形成一个第一高能硼注入P型层，接着，硼离子被注入到场氧化物薄膜中沿厚度方向靠近中央的位置，形成一个第二高能硼注入P型层，第一和第二高能硼注入P型层是与N型扩散层分离的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种含有一个N沟道MOS晶体管的半导体器件，其特征在于，它还含有：通过采用一个第一高能量在形成所述N沟道MOS晶体管和一个场氧化物薄膜的P型衬底或P型阱的边缘注入硼而形成的一个第一P型区，其中所述场氧化物薄膜形成于所述P型衬底或P型阱的表面，和采用一个低于所述第一高能量的第二高能量向所述场氧化物薄膜沿厚度方向的中央附近位置注入硼而形成的一个第二P型区，其中，所述场氧化物薄膜、所述第一P型区和所述第二P型区均与组成所述N沟道MOS晶体管的源和漏区的N型扩散层分离开。
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